时间:2025/12/27 2:51:09
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M25P64-VME6G是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的64兆位串行闪存芯片,采用SPI(串行外设接口)协议进行通信。该器件属于M25P系列,广泛应用于需要非易失性存储的嵌入式系统中。M25P64的存储容量为64 Mbit,等效于8 MB,组织为32个块,每个块包含16个扇区,每个扇区又细分为16个页,每页大小为256字节。这种灵活的存储结构支持按页编程(写入)和按扇区、块或全片擦除操作,适合在固件存储、数据记录和代码启动等多种场景下使用。该芯片工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于工业级温度环境(-40°C至+85°C),封装形式为SO8(8引脚小型封装),型号后缀中的'VME6G'表示其封装与环保标准符合RoHS指令要求。M25P64-VME6G具备高可靠性,可支持10万次编程/擦除周期,并保证数据保存期限长达20年,是工业控制、网络设备、消费电子和汽车电子等领域中常用的串行闪存解决方案之一。
制造商:STMicroelectronics
产品系列:M25P
存储容量:64 Mbit
存储组织:8 MB (8,388,608 字节)
架构:串行 NOR Flash
接口类型:SPI (串行外设接口)
时钟频率:最高支持 75 MHz
供电电压:2.7 V 至 3.6 V
工作温度范围:-40 °C 至 +85 °C
封装类型:SOIC-8 (8引脚小外形集成电路封装)
引脚数:8
编程电压:3.3 V
读取延迟:典型值 5 ns
擦除时间:最大 2.9 秒(整片擦除)
写保护功能:支持软件和硬件写保护
耐久性:100,000 次编程/擦除周期
数据保留:20 年
M25P64-VME6G具备多项关键特性,使其在同类串行闪存器件中具有显著优势。首先,其高速SPI接口支持标准、双输出和四路I/O模式(通过特定指令启用),在最高75 MHz的时钟频率下可实现快速的数据读取,适用于对启动时间和数据吞吐量有较高要求的应用,例如从闪存直接执行代码(XIP, Execute In Place)的应用场景。该芯片支持多种低功耗模式,包括待机模式和深度掉电模式,在深度掉电模式下电流消耗可低至1 μA以下,非常适合电池供电或对功耗敏感的便携式设备。
其次,M25P64-VME6G提供全面的硬件和软件保护机制。通过状态寄存器可配置写保护区域,防止意外修改关键数据(如引导代码或校准参数)。WP#引脚支持硬件写保护,当拉低时可锁定部分或全部存储区域,增强系统的安全性与可靠性。此外,该器件支持按页(256字节)编程,最小擦除单位为扇区(4 KB)、块(64 KB)或整片擦除,灵活的擦除粒度有助于优化存储管理并延长器件寿命。
该芯片还内置了ECC(错误校正码)兼容设计和耐用性管理功能,确保在工业环境下长期稳定运行。其SOIC-8封装易于焊接和布局,兼容自动装配流程,且占用PCB空间小,适合高密度设计。M25P64-VME6G符合RoHS环保标准,无铅无卤,满足现代电子产品对环保和安全性的要求。综合来看,该器件在性能、可靠性、功耗和成本之间实现了良好平衡,是中等容量非易失性存储应用的理想选择。
M25P64-VME6G广泛应用于多个电子领域。在嵌入式系统中,常用于存储微控制器的固件程序,特别是在需要快速启动的设备中,如工业PLC、HMI人机界面和智能仪表。在网络通信设备中,它被用来保存路由器、交换机的配置文件和操作系统镜像。消费类电子产品如数码相机、智能电视和机顶盒也采用该芯片来存储启动代码和用户设置信息。在汽车电子中,可用于车身控制模块、车载娱乐系统和仪表盘中,存储配置数据和应用程序。此外,该器件还适用于医疗设备、测试仪器和物联网终端节点,作为可靠的外部数据记录存储介质。由于其支持SPI接口且驱动程序成熟,与各类MCU(如STM32、NXP LPC系列)配合使用极为方便,缩短了开发周期,提升了系统集成效率。
W25Q64JVSSIQ
EN25Q64-100HIP
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