M1550F 是一款专为高压和高频应用设计的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它广泛用于电源转换器、逆变器、电机控制和开关电源等场合。M1550F 以其高耐压、低导通电阻和快速开关特性而著称,适合需要高效能和高可靠性的电力电子系统。该器件通常采用TO-220或TO-247封装,具有良好的热管理和电气性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):1500V
栅源电压(VGS):±30V
连续漏极电流(ID):5A
功耗(PD):150W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
存储温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:TO-220 或 TO-247
M1550F 的核心特性之一是其高达1500V的漏源击穿电压,这使得它非常适合用于高电压环境,如工业电源和高压逆变器系统。该器件的低导通电阻(RDS(on))在导通状态下能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。
此外,M1550F具备优异的开关性能,能够在高频条件下稳定工作,适用于需要快速开关的DC-DC转换器、AC-DC电源模块以及电机驱动系统。其快速恢复二极管特性也有助于减少开关过程中的能量损耗。
在热管理方面,M1550F采用高效的散热设计,能够在较高负载下保持稳定的温度表现,延长器件寿命并提升系统可靠性。该器件还具备良好的抗雪崩能力和过热保护性能,进一步增强了其在严苛环境下的稳定性。
由于其高耐压、低损耗和良好的热性能,M1550F 在工业控制、电力电子设备、新能源系统(如光伏逆变器和电动汽车充电模块)中得到了广泛应用。
M1550F 主要用于以下类型的电力电子设备中:工业电源、高压DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、电机驱动器、逆变器、UPS不间断电源、太阳能光伏逆变器、电动汽车充电设备以及各种需要高压开关能力的控制系统。其高耐压和低导通电阻特性使其成为高频开关电源中的理想选择,同时也适用于需要长时间稳定工作的高压应用场合。
STP15NK150Z, IRGP4063, FGL40N150D, IXFH50N150