时间：2025/6/3 16:28:09
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RTQ035P02是一款高性能的N沟道MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载切换等电路中。该器件具有低导通电阻和高击穿电压的特点，能够显著提高系统的效率并降低热损耗。
该型号采用TO-220封装形式，具备出色的散热性能，适合需要较高电流处理能力的应用场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：38A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：17nC
总电容：1050pF
功耗：180W
工作温度范围：-55℃至150℃
RTQ035P02拥有极低的导通电阻（Rds(on)），从而减少导通状态下的功率损耗。此外，其高电流承载能力和快速开关速度使得它非常适合高频应用。
该产品还具有较低的栅极电荷，这有助于降低驱动功耗，同时提高了整体系统效率。
另外，由于采用了坚固耐用的TO-220封装，该器件可以轻松地通过散热片进行有效散热，确保在高温环境下稳定运行。
这款MOSFET适用于多种电力电子领域，例如：
- 开关模式电源（SMPS）
- DC-DC转换器
- 电机控制与驱动
- 汽车电子中的负载切换
- 工业自动化设备中的功率管理
- 笔记本适配器及充电器解决方案
其强大的电气性能和可靠性使其成为这些应用场景的理想选择。
IRFZ44N
STP30NF06
FDP55N06L
