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M12L2561616A-7T 发布时间 时间:2025/9/2 6:58:54 查看 阅读:6

M12L2561616A-7T 是一款由美光(Micron)公司生产的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片的存储容量为256兆位(Mb),组织形式为16位×16兆(16M x 16),属于高性能、低功耗的DRAM解决方案,广泛应用于需要高速数据存取的电子设备中。该型号的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),适用于工业级和消费类电子产品。

参数

容量:256 Mb
  组织结构:16M x 16
  封装类型:TSOP
  访问时间:7.5 ns
  工作电压:2.3V - 3.6V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  刷新周期:64 ms
  封装引脚数:54引脚

特性

M12L2561616A-7T 采用CMOS工艺制造,具备高速访问能力,访问时间仅为7.5 ns,能够满足高速缓存和数据缓冲的应用需求。其TSOP封装形式具有较小的体积和良好的散热性能,适用于高密度PCB布局。
  该芯片支持异步操作模式,提供灵活的控制信号,包括行地址选通(RAS)、列地址选通(CAS)和写使能(WE),便于与各种主控器进行接口连接。其低功耗设计在待机模式下可显著降低功耗,适用于电池供电设备。
  此外,M12L2561616A-7T 具备自动刷新和自刷新功能,可在不丢失数据的前提下降低系统功耗,提高系统稳定性。该芯片的异步控制逻辑简化了时序设计,提高了系统的兼容性和可靠性。

应用

M12L2561616A-7T 主要应用于需要大容量高速缓存的设备,如嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、图像处理设备以及消费类电子产品中的主存或缓存模块。其高性能和低功耗特性使其在便携式设备和工业自动化领域具有广泛的应用前景。

替代型号

M12L25616A2B4-6A
  IS42S16400J-7T

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