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PTVS54VP1UTP 发布时间 时间:2025/9/14 2:02:02 查看 阅读:30

PTVS54VP1UTP 是由 STMicroelectronics(意法半导体)推出的一款低电容、双向电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压及其他瞬态干扰的影响。该器件具有快速响应时间和高可靠性,适用于需要高精度信号完整性的应用场景,例如USB接口、HDMI、VGA以及其他高速通信端口的保护电路。

参数

工作电压:5.4V
  反向关断电压:5.4V
  峰值脉冲电流(8/20μs):2A
  钳位电压:13.3V(最大)
  电容(1MHz):0.6pF(典型)
  漏电流:10nA(最大)
  封装形式:SOT-323(SMD)
  引脚数:3
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

PTVS54VP1UTP 具备极低的寄生电容(0.6pF),这使得它非常适合用于保护高速信号线路,不会对信号完整性造成影响。此外,该器件的钳位电压较低,在瞬态电压事件中能够快速响应并将电压限制在安全范围内,从而有效保护后端电路。
  该TVS器件采用SOT-323小型表面贴装封装,节省PCB空间,适用于便携式设备和高密度电路设计。其双向保护结构可同时保护正负方向的瞬态电压冲击,无需额外的极性配置。
  PTVS54VP1UTP 具有优异的ESD保护性能,符合IEC 61000-4-2 Level 4标准(±8kV接触放电和±15kV空气放电),适用于工业和消费类电子设备中的高可靠性保护需求。

应用

PTVS54VP1UTP 主要用于需要高速信号线路保护的应用中,例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB 2.0、HDMI、VGA、DVI、DisplayPort等接口保护。此外,它也适用于通信设备、工业控制模块、消费类电子产品以及任何需要防止静电放电和瞬态电压冲击的电路中。
  由于其低电容特性,PTVS54VP1UTP 特别适合用于保护模拟信号、高速数据线和射频线路,不会引起信号失真或衰减,确保系统在严苛环境下的稳定运行。

替代型号

PESD5V0S1BA; ESD5542B; TPD3E081; TLC7705B

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