时间：2025/8/21 8:29:24
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LY62L102516GL-70SLI是一款由Rohm Semiconductor制造的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件具有1Mbit的存储容量，组织结构为1024K × 16位，适用于需要高速访问和低功耗的各类嵌入式系统和工业控制设备。
容量：1Mbit
组织结构：1024K × 16位
电源电压：2.3V至3.6V
最大访问时间：70ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：TSOP
封装引脚数：54
封装尺寸：54-TSOP
数据总线宽度：16位
待机电流：最大10mA
工作电流：最大200mA
LY62L102516GL-70SLI SRAM芯片采用高性能CMOS技术制造，确保了高速访问和低功耗运行。其最大访问时间为70ns，适合高速缓存和数据缓冲应用。该器件支持宽电源电压范围（2.3V至3.6V），增强了其在不同电源条件下的适用性。此外，其低待机电流（最大10mA）和工作电流（最大200mA）使其非常适合于电池供电设备和便携式电子产品。
该SRAM芯片具备高可靠性和稳定性，工作温度范围为-40°C至+85°C，能够适应各种工业环境。其TSOP封装形式不仅节省空间，还便于表面贴装工艺（SMT），提高了制造效率和系统集成度。
该器件还具备优异的抗干扰性能和数据保持能力，即使在恶劣电磁环境中也能确保数据的完整性和稳定性。其16位数据总线宽度支持并行数据处理，提高了系统的整体性能。
LY62L102516GL-70SLI SRAM芯片广泛应用于工业控制设备、通信设备、测试仪器、嵌入式系统以及便携式电子产品中，用于高速数据存储和缓存。
CY62148EVLL-70ZE3C, IDT71V1216SA70PFG, IS61LV102416AL-70BLLI
