LLS1H682MELZ是一款由松下(Panasonic)生产的多层陶瓷电容器(MLCC)。该器件属于松下EEE-FK系列,专为高可靠性、高性能的电子电路设计而开发。LLS1H682MELZ的标称电容值为6800pF(即6.8nF),额定电压为50V DC,电容容差为±20%。该电容器采用X7R温度特性介质材料,能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持稳定的电气性能,电容变化不超过±15%。该器件封装尺寸为0805(英制),即公制2012,适合表面贴装技术(SMT)工艺,广泛应用于各类消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子中。
作为一款标准的片式多层陶瓷电容器,LLS1H682MELZ具有低等效串联电阻(ESR)和低等效串联电感(ESL)的特性,适用于去耦、滤波、旁路和信号耦合等典型应用场景。其结构采用镍阻挡层端子电极,并经过特殊的烧结工艺处理,确保良好的焊接可靠性和抗热冲击能力。此外,该产品符合RoHS指令要求,不含铅和其他有害物质,支持无铅回流焊工艺,适应现代绿色电子制造的需求。LLS1H682MELZ在设计上注重长期稳定性和耐久性,能够承受多次温度循环和机械应力,适用于对可靠性要求较高的嵌入式系统和电源管理模块。
电容值:6800pF
容差:±20%
额定电压:50V DC
温度特性:X7R
工作温度范围:-55°C ~ +125°C
封装尺寸:0805(2012)
介质材料:陶瓷
安装类型:表面贴装(SMD)
电极结构:Ni/Sn镀层
产品系列:EEE-FK
制造商:Panasonic
RoHS合规:是
LLS1H682MELZ采用X7R型陶瓷介质材料,这种材料具有优异的温度稳定性,能够在-55°C到+125°C的宽温范围内保持电容值的变化在±15%以内,这使得它非常适合用于对温度变化敏感的应用环境,例如汽车电子或工业控制系统。X7R介质还具备较高的介电常数,能够在较小的封装尺寸内实现相对较大的电容值,从而在空间受限的设计中提供有效的解决方案。该电容器的结构采用多层叠层技术,通过交替堆叠陶瓷介质和内电极(通常为镍)形成多个并联的电容单元,显著提升了单位体积的电容量,同时降低了等效串联电感(ESL)和等效串联电阻(ESR),提高了高频响应性能。
该器件的端子电极为三层电极结构,通常由铜内电极、镍阻挡层和锡外电极组成。镍阻挡层能有效防止外部锡焊料向内部电极扩散,避免因金属迁移导致的短路或性能退化,从而提升产品的长期可靠性。锡外层则保证了良好的可焊性,兼容无铅和有铅两种焊接工艺,满足不同生产流程的需求。LLS1H682MELZ通过了严格的可靠性测试,包括高温高湿偏压测试(如85°C/85%RH)、温度循环测试以及寿命加速老化测试,确保在恶劣环境下仍能稳定工作。其机械强度也经过优化,能够抵抗PCB弯曲和热胀冷缩带来的应力,减少因机械形变引起的开裂风险。
此外,该电容器具备良好的噪声抑制能力和快速充放电特性,适用于电源去耦、时钟线路滤波、ADC参考电压旁路等场景。由于其非极性特性,无需考虑安装方向,简化了PCB布局和自动化贴片流程。整体而言,LLS1H682MELZ在性能、尺寸与可靠性之间实现了良好平衡,是中等电容值需求下的理想选择之一。
LLS1H682MELZ广泛应用于多种电子设备和系统中,尤其是在需要稳定电容性能和高可靠性的场合。在电源管理电路中,它常被用作输入/输出滤波电容或去耦电容,用于平滑电压波动、抑制开关噪声并提高电源稳定性,特别是在DC-DC转换器、LDO稳压器和电源模块中表现优异。在模拟信号处理电路中,该电容器可用于耦合、旁路或滤波,例如在运算放大器的反馈网络、ADC/DAC参考电压端或音频信号路径中,帮助降低噪声干扰并提升信号完整性。
在数字系统中,LLS1H682MELZ可用于为微控制器、FPGA或ASIC等高速数字芯片提供局部储能,吸收瞬态电流尖峰,防止电源塌陷,从而保障系统稳定运行。其低ESR和低ESL特性使其在高频工作条件下依然保持良好性能,适用于时钟发生器、PLL环路滤波器等对相位噪声敏感的电路。在通信设备中,该电容器可用于射频前端模块的偏置电路或匹配网络,辅助实现阻抗匹配和信号滤波功能。
此外,由于其符合AEC-Q200汽车级可靠性标准(视具体批次而定),LLS1H682MELZ也可用于车载电子系统,如车身控制模块、信息娱乐系统、传感器接口和车载电源单元。在工业自动化领域,它适用于PLC控制器、电机驱动器和工业仪表等长期运行且环境复杂的设备。消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备中也常见此类规格的MLCC,用于板级电源去耦和信号调理。总体来看,LLS1H682MELZ凭借其稳定的电气性能和紧凑的封装,成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。
GRM21BR71H682KA01L
CL21A682MBKNNNE
C2012X7R1H682K
EMK212BJ682KV