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MTD20P03HDLT4G 发布时间 时间:2025/5/30 14:14:43 查看 阅读:10

MTD20P03HDLT4G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,采用 Trench 技术制造。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的电路中。其优化的设计使其在功率转换、电机驱动、负载开关等领域表现出色。
  这款 MOSFET 的最大特点是低导通电阻(Rds(on)),能够在高频应用中减少功率损耗,并提高整体系统效率。

参数

型号:MTD20P03HDLT4G
  类型:N 沟道功率 MOSFET
  封装:TO-252(DPAK)
  最大漏源电压(Vdss):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
  总栅极电荷(Qg):17nC
  开关速度:快速
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

MTD20P03HDLT4G 具有以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用。
  3. 高度可靠的 Trench 工艺技术,确保器件在各种环境下的稳定性。
  4. 小型化 TO-252 封装,节省 PCB 空间,适用于紧凑型设计。
  5. 宽广的工作温度范围,适应恶劣的工作环境。
  6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
  这些特性使得 MTD20P03HDLT4G 成为众多功率管理应用的理想选择。

应用

MTD20P03HDLT4G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器,用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备。
  3. 电机驱动电路,例如步进电机和直流无刷电机。
  4. 负载开关,用于便携式电子产品。
  5. 电池保护电路,如锂电池管理系统。
  6. 电信设备中的功率级应用。
  由于其优异的性能和可靠性,MTD20P03HDLT4G 在上述应用场景中表现出卓越的效率和稳定性。

替代型号

MTD20P03HDMLT4G, MTD20P03HDTLT4G

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