MTD20P03HDLT4G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,采用 Trench 技术制造。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的电路中。其优化的设计使其在功率转换、电机驱动、负载开关等领域表现出色。
这款 MOSFET 的最大特点是低导通电阻(Rds(on)),能够在高频应用中减少功率损耗,并提高整体系统效率。
型号:MTD20P03HDLT4G
类型:N 沟道功率 MOSFET
封装:TO-252(DPAK)
最大漏源电压(Vdss):30V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):20A
导通电阻(Rds(on)):1.8mΩ(典型值,在 Vgs=10V 下)
总栅极电荷(Qg):17nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
MTD20P03HDLT4G 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够有效降低传导损耗,提高效率。
2. 快速开关性能,适合高频应用。
3. 高度可靠的 Trench 工艺技术,确保器件在各种环境下的稳定性。
4. 小型化 TO-252 封装,节省 PCB 空间,适用于紧凑型设计。
5. 宽广的工作温度范围,适应恶劣的工作环境。
6. 符合 RoHS 标准,环保无铅工艺。
这些特性使得 MTD20P03HDLT4G 成为众多功率管理应用的理想选择。
MTD20P03HDLT4G 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器,用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备。
3. 电机驱动电路,例如步进电机和直流无刷电机。
4. 负载开关,用于便携式电子产品。
5. 电池保护电路,如锂电池管理系统。
6. 电信设备中的功率级应用。
由于其优异的性能和可靠性,MTD20P03HDLT4G 在上述应用场景中表现出卓越的效率和稳定性。
MTD20P03HDMLT4G, MTD20P03HDTLT4G