MTD20P03HDLT4G 时间：2025/5/30 14:14:43 阅读：28

MTD20P03HDLT4G 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 Trench 技术制造。该器件主要应用于需要高效率、低导通电阻和快速开关性能的电路中。其优化的设计使其在功率转换、电机驱动、负载开关等领域表现出色。
　　这款 MOSFET 的最大特点是低导通电阻（Rds(on)），能够在高频应用中减少功率损耗，并提高整体系统效率。

参数

型号：MTD20P03HDLT4G
　　类型：N 沟道功率 MOSFET
　　封装：TO-252(DPAK)
　　最大漏源电压(Vdss)：30V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：20A
　　导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下）
　　总栅极电荷(Qg)：17nC
　　开关速度：快速
　　工作温度范围：-55℃ 至 +150℃

特性

MTD20P03HDLT4G 具有以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低传导损耗，提高效率。
　　2. 快速开关性能，适合高频应用。
　　3. 高度可靠的 Trench 工艺技术，确保器件在各种环境下的稳定性。
　　4. 小型化 TO-252 封装，节省 PCB 空间，适用于紧凑型设计。
　　5. 宽广的工作温度范围，适应恶劣的工作环境。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅工艺。
　　这些特性使得 MTD20P03HDLT4G 成为众多功率管理应用的理想选择。

应用

MTD20P03HDLT4G 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器，用于笔记本电脑、服务器和其他电子设备。
　　3. 电机驱动电路，例如步进电机和直流无刷电机。
　　4. 负载开关，用于便携式电子产品。
　　5. 电池保护电路，如锂电池管理系统。
　　6. 电信设备中的功率级应用。
　　由于其优异的性能和可靠性，MTD20P03HDLT4G 在上述应用场景中表现出卓越的效率和稳定性。