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LUDZS5.6MBT1G 发布时间 时间:2025/8/13 15:47:20 查看 阅读:9

LUDZS5.6MBT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和保护电路中的基准电压源。该器件具有精确的电压调节特性和良好的温度稳定性,适用于需要稳定电压的多种电子设备中。其封装形式为 SOD-123,便于在印刷电路板(PCB)上安装和使用。

参数

类型:齐纳二极管
  额定齐纳电压:5.6V
  最大齐纳电流:200mA
  最大耗散功率:300mW
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  存储温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:SOD-123
  引脚数:2
  最大反向漏电流:100nA(@ Vr=2V)

特性

LUDZS5.6MBT1G 具有以下主要特性:
  首先,其齐纳电压为5.6V,这一电压值在电压调节和参考电压电路中非常常见,能够满足大多数模拟和数字电路的需求。该电压值在制造过程中经过精确调整,确保其具有高精度和稳定性。
  其次,该器件的最大齐纳电流为200mA,能够在较高电流条件下保持稳定的电压输出,适用于对电流需求较高的应用场景。此外,LUDZS5.6MBT1G 的最大耗散功率为300mW,能够在有限的散热条件下正常工作,适合用于紧凑型电子设备中。
  该齐纳二极管采用了SOD-123封装,体积小巧,适合表面贴装技术(SMT)生产流程,提高了PCB的集成度和可靠性。同时,其较小的封装也降低了寄生电感和电容,提高了高频环境下的性能表现。
  LUDZS5.6MBT1G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C,适用于工业级和汽车电子应用,具有良好的环境适应性和稳定性。此外,其存储温度范围也为 -55°C 至 +150°C,确保在各种存储和运输条件下不会发生性能下降或损坏。
  最后,该器件的反向漏电流在 Vr=2V 时最大为100nA,表现出良好的反向阻断能力,减少了在非工作状态下的功耗和干扰。这使得LUDZS5.6MBT1G在低功耗系统中也能发挥出色的表现。

应用

LUDZS5.6MBT1G 齐纳二极管广泛应用于多个领域。最常见的用途是作为电压参考源,用于电源管理电路、ADC/DAC参考电压、比较器电路等。由于其电压稳定性和精度较高,常用于需要高精度电压参考的测量仪器和控制系统中。
  在电源电路中,该器件可用于稳压电路或过压保护电路,保护后续电路免受电压波动的影响。例如,在DC-DC转换器或线性稳压器中,LUDZS5.6MBT1G 可作为反馈回路中的参考电压元件,确保输出电压的稳定性。
  此外,该器件也常用于信号调理电路中,用于钳位或限幅信号电压,防止过高的信号电压损坏后续的敏感电路。在模拟电路中,它也可用于偏置电压的生成,确保放大器或其他模拟器件工作在最佳工作点。
  在汽车电子系统中,LUDZS5.6MBT1G 可用于车载电源管理系统、传感器信号调理电路以及ECU(电子控制单元)中的电压参考源,其宽温度范围和高可靠性满足了汽车环境下的严苛要求。
  总的来说,LUDZS5.6MBT1G 是一款通用性极强的齐纳二极管,适用于各种需要稳定电压参考的电子系统中。

替代型号

BZX84C5V6, ZMM5V6, MMSZ5227B, LUDZS5.6B

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