IPT60R035CFD7是英飞凌(Infineon)推出的一款功率MOSFET,采用TRENCHSTOP?技术制造。该器件属于OptiMOS系列,主要应用于高效率、高性能的电力电子转换系统中。其设计旨在降低导通电阻和开关损耗,从而提升整体系统的能效表现。这种MOSFET通常用于电机驱动、DC-DC转换器、太阳能逆变器等需要高频开关的应用场景。
该器件采用了PQFN封装形式(5x6mm),具有较低的热阻和良好的散热性能,能够支持紧凑型设计并满足严格的性能要求。
最大漏源电压:60V
最大连续漏极电流:28A
导通电阻(典型值):3.5mΩ
栅极电荷(典型值):41nC
输入电容:1340pF
总热阻(结到壳):35°C/W
工作温度范围:-55°C至175°C
IPT60R035CFD7具备极低的导通电阻,有助于减少传导损耗,特别是在大电流应用中表现出色。同时,它的栅极电荷较低,可以显著降低开关过程中的能量损失,提高工作效率。
此外,该器件采用先进的封装技术,拥有较小的尺寸和出色的散热性能,非常适合空间受限的设计。其高温工作能力也使其适用于严苛环境下的工业及汽车领域应用。
TRENCHSTOP?技术确保了更高的可靠性与稳定性,同时优化了动态性能,使得开关速度更快且EMI特性更好。通过这些特点,IPT60R035CFD7成为了众多高效电源管理解决方案的理想选择。
IPT60R035CFD7广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
1. 电机驱动:如电动车窗、电动座椅、泵类和风扇等。
2. DC-DC转换器:服务器电源、通信电源以及分布式电源系统。
3. 太阳能微型逆变器:为光伏面板提供高效的电能转换。
4. 开关电源适配器:笔记本电脑和其他消费类电子产品。
5. 电池管理系统(BMS):电动汽车和储能系统中的电池保护与均衡控制。
由于其卓越的性能和广泛的适用性,IPT60R035CFD7在现代电力电子设计中占据了重要地位。
IPT60R070CE, IPT60R090CE, IPT60R150CP