类型：NPN 双极型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：200 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Ptot）：300 mW
　　最大工作频率（fT）：250 MHz
　　增益带宽积（fT）：250 MHz
　　噪声系数（NF）：典型值 0.5 dB
　　封装形式：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

LUDZS20MBT1G 的核心特性之一是其高频性能，适用于射频和微波频段的应用。其 250 MHz 的增益带宽积使其在高频放大电路中表现出色，能够提供稳定的增益和低失真。此外，该晶体管的噪声系数非常低，典型值为 0.5 dB，这使其非常适合用于低噪声放大器（LNA）的设计，尤其是在接收机前端电路中。LUDZS20MBT1G 还具有良好的线性度，能够在较宽的输入信号范围内保持线性放大特性，减少信号失真。
　　在结构方面，该晶体管采用 SOT-23 封装，这是一种小型化的表面贴装封装，适合高密度 PCB 设计。其热阻较低，能够有效散热，从而提高器件在高频工作下的稳定性。此外，LUDZS20MBT1G 的最大集电极电流为 200 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，使其在中等功率的高频应用中具备较高的可靠性。
　　另一个显著特点是其良好的匹配性能。该晶体管在设计时考虑了输入和输出阻抗匹配的需求，能够减少外部匹配网络的复杂度，从而简化电路设计并提高整体效率。

LUDZS20MBT1G 主要用于射频和高频电子设备中，常见的应用场景包括无线通信系统中的低噪声放大器（LNA）、射频接收机前端放大器、广播设备中的信号放大器、测试仪器中的高频信号处理电路以及无线传感器网络中的射频发射和接收模块。此外，由于其良好的线性度和低噪声特性，LUDZS20MBT1G 也广泛应用于需要高保真信号放大的音频和视频设备中。

BFU520, BFG21, BFR93A