时间：2025/8/6 10:15:28
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IXTT96N15P 是一款由 IXYS 公司制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高功率和高效率的应用设计。这款晶体管具有较高的电流承载能力和较低的导通电阻，适用于需要高效能功率管理的电路中。其封装形式为 TO-220，便于散热并适用于多种功率应用。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：96A
最大漏-源电压（VDS）：150V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：12.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-220
IXTT96N15P 的主要特性包括其高效的功率处理能力，这得益于其低导通电阻和高电流承载能力。此外，该 MOSFET 设计用于减少开关损耗，从而提高整体系统效率。其高耐压能力使其适用于多种高电压应用。该器件还具有良好的热稳定性，可以在较宽的温度范围内可靠工作。TO-220 封装提供了良好的散热性能，使其能够在高功率条件下长时间运行。
IXTT96N15P 常用于需要高功率和高效率的电子设备中，如电源供应器、马达控制器、直流-直流转换器以及电池管理系统。它也适用于工业自动化设备、电动车以及太阳能逆变器等应用。
IXTT96N15P 可以被 IXTT100N15P 或 IXFN96N15P 等型号替代，具体取决于应用需求和设计参数。
