STP10NM60ND 时间：2025/7/23 8:30:36 阅读：3

STP10NM60ND是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高电压、高电流应用设计，广泛应用于开关电源（SMPS）、电机控制、DC-DC转换器、电池充电器以及各种工业自动化控制系统中。STP10NM60ND采用了先进的高压MOSFET制造技术，具备优异的导通电阻（Rds(on)）性能和快速开关特性，能够在600V的漏源电压下稳定工作，最大漏极电流可达10A。该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能和可靠性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：10A（在25°C）
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.72Ω（在Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　最大功耗（Ptot）：40W
　　栅极电荷（Qg）：约23nC
　　漏极-源极击穿电压：600V

特性

STP10NM60ND的主要特性包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关速度。其导通电阻Rds(on)在Vgs=10V时最大为0.72Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET具备600V的漏源击穿电压，能够承受较高的电压应力，适用于各种高电压应用场景。STP10NM60ND采用了先进的制造工艺，确保在高频率开关应用中具备良好的性能，减少了开关损耗。该器件的TO-220封装设计具有良好的散热性能，可以在高功率环境下保持稳定工作。此外，STP10NM60ND还具有较高的热稳定性和抗短路能力，适用于要求较高的工业和汽车电子应用。

应用

STP10NM60ND常用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池充电器、UPS系统、照明镇流器、工业自动化控制设备以及新能源系统（如光伏逆变器和储能系统）中。其高耐压和低导通电阻的特性使其成为功率因数校正（PFC）电路和高频开关电路的理想选择。此外，该MOSFET还可用于电动工具、电动车辆的电源管理系统以及各类需要高效能功率开关的场合。