时间：2025/9/6 0:41:16
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LTNP45N04P是一款N沟道功率MOSFET，由Littelfuse公司生产。该器件设计用于高电流、低电压应用，具备良好的导通特性和热稳定性。由于其40V的漏源击穿电压和45A的连续漏极电流能力，LTNP45N04P适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及电机控制等高功率场景。该器件采用PowerPAK SO-8封装，具有较小的封装体积和良好的散热性能。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：40V
连续漏极电流(ID)：45A
栅源电压(VGS)：±20V
导通电阻(RDS(on))：11.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：PowerPAK SO-8
LTNP45N04P具有低导通电阻（RDS(on)）特性，这使得在高电流条件下导通损耗大大降低，从而提高整体系统的效率。其PowerPAK SO-8封装不仅提供了优良的热管理性能，还能有效减小PCB布局空间，适用于紧凑型设计。此外，该器件具备较高的雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定工作，增强了系统的可靠性。
LTNP45N04P的栅极结构设计优化了开关性能，降低了开关过程中的能量损耗，使其在高频开关应用中表现良好。该MOSFET具有快速开关速度，同时避免了过高的dv/dt造成的电磁干扰问题。此外，其高栅极绝缘强度确保在极端工作条件下依然具有稳定的性能。
该器件适用于同步整流、高效DC-DC转换器、电池管理系统和负载开关等应用。其高电流能力和低导通电阻也使其成为电动工具、电动自行车和轻型电动车等高功率便携设备的理想选择。
LTNP45N04P广泛应用于电源管理系统，包括多相同步降压转换器、负载开关和电机驱动器。其高效率和低导通电阻特性使其在电池供电设备中尤为适用，例如笔记本电脑、平板电脑、服务器电源和电信设备中的DC-DC转换模块。此外，它还可用于工业自动化设备、无人机电源系统和电动工具中的功率开关。
Si444N04Y, SQ4442EV, FDS444N
