时间：2025/9/7 4:00:58
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HN58X2464FPIZ是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的低功耗CMOS静态随机存取存储器（SRAM），具有32K x 8位的存储容量，适用于需要高速数据访问和低功耗运行的应用场景。该芯片采用55nm工艺制造，具备高性能和高可靠性的特点，适用于工业控制、通信设备、嵌入式系统等领域。
容量：32K x 8位
电压范围：1.6V - 3.6V
访问时间：55ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C
封装类型：48引脚TSOP
接口类型：并行
功耗：最大工作电流约10mA（典型值）
待机电流：最大10μA
HN58X2464FPIZ SRAM芯片采用先进的CMOS技术，确保低功耗和高稳定性。其主要特性包括高速访问时间（55ns），支持在广泛电压范围内工作（1.6V至3.6V），适应多种电源设计需求。该芯片支持并行接口，提供快速的数据读写能力，适用于需要频繁数据交换的应用。此外，HN58X2464FPIZ具有低待机电流的特点，使其在低功耗模式下仍能保持数据完整性，非常适合电池供电设备和便携式电子产品。
这款SRAM芯片的高可靠性设计包括宽温度范围支持（-40°C至+85°C），可确保在工业环境中的稳定运行。其TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了散热性能，有助于在高密度PCB布局中使用。HN58X2464FPIZ的引脚兼容性和标准化接口使其易于集成到现有系统中，减少了设计复杂度和开发时间。
HN58X2464FPIZ广泛应用于需要高速、低功耗存储解决方案的领域。其典型应用场景包括工业自动化设备中的缓存存储、通信模块中的数据缓冲、嵌入式系统的临时数据存储以及便携式医疗设备中的实时数据处理。此外，该芯片也可用于消费类电子产品，如智能家电、穿戴设备和物联网（IoT）终端，以提供可靠的数据存储支持。
IS62WV2568UBLBLL-55NLI, CY62148E, IDT71V416
