CS9N90 时间：2025/8/1 12:43:04 阅读：19

CS9N90是一款由COSMO SEMICONDUCTOR生产的高压MOSFET，专为高效率电源转换应用而设计。该器件采用了先进的平面工艺技术，具备优异的导通电阻和开关特性。CS9N90主要用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动以及各类功率电子设备中。由于其高耐压能力和较低的导通损耗，该MOSFET在电源管理和节能应用中表现出色。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：900V
　　连续漏极电流（ID）：9A
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（RDS(on)）：约0.9Ω（典型值）
　　最大功率耗散（PD）：约40W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220、TO-252等

特性

CS9N90采用先进的平面工艺制造，具备优异的高温稳定性和可靠性。其高耐压能力（900V）使其适用于高输入电压的应用场景，如AC/DC转换器和离线电源。该MOSFET的导通电阻较低（约0.9Ω），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，CS9N90具有良好的热性能，能够承受较高的功率耗散，适合在高功率密度设计中使用。
　　在开关特性方面，CS9N90的开关损耗较低，适用于高频开关应用，有助于减小电源系统的体积和重量。其栅极驱动电压范围较宽，兼容常见的10V和12V驱动电路，方便与各种控制器和驱动IC配合使用。CS9N90还具备较强的抗雪崩能力和过流保护特性，增强了系统的安全性和稳定性。
　　该器件在设计上优化了寄生电容，降低了高频开关下的动态损耗，从而进一步提升了效率。此外，CS9N90的封装设计（如TO-220）便于散热，适合在需要良好热管理的场合使用。

应用

CS9N90广泛应用于各种电源转换系统中，包括开关电源（SMPS）、AC/DC转换器、DC/DC转换器、适配器、充电器、LED驱动电源以及电机控制电路。由于其高耐压特性，CS9N90特别适用于需要处理高输入电压的离线电源设计，例如家用电器、工业设备和通信设备中的电源模块。此外，在新能源领域，如光伏逆变器和储能系统中，CS9N90也可用于功率开关电路，以实现高效的能量转换。