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LTNP20N04P 发布时间 时间:2025/9/6 0:03:01 查看 阅读:4

LTNP20N04P 是一款由 Lonten Semiconductor(伦特半导体)制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换器、电机驱动、电池管理系统、DC-DC 转换器以及各种开关电源应用。LTNP20N04P 采用先进的沟槽式 MOS 技术,提供低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适合高功率密度设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A(在25℃)
  导通电阻(Rds(on)):最大 18mΩ(在 Vgs=10V)
  功耗(Pd):150W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-220、TO-263(D2PAK)等

特性

LTNP20N04P 的核心特性包括极低的导通电阻,有助于减少导通损耗并提高系统效率;其高电流承载能力使其适用于高功率密度的电源设计。该器件采用先进的沟槽式 MOS 工艺,具有出色的热稳定性和可靠性。
  此外,LTNP20N04P 的封装形式(如 TO-220 或 D2PAK)便于散热,适用于各种工业级和消费级应用。该器件具有良好的抗雪崩能力,可在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
  由于其快速开关特性,该 MOSFET 可用于高频开关电源设计,从而减小外部滤波元件的尺寸,提升系统整体性能。此外,其高栅极耐压能力(±20V)有助于提高抗干扰能力,避免栅极电压波动导致的误开通或损坏。

应用

LTNP20N04P 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电源适配器、电机驱动器以及各种高功率开关电源系统。该器件也适用于工业自动化设备、LED 驱动电源、UPS(不间断电源)系统及储能系统中的功率开关电路。

替代型号

Si2302DS, IRF3205, STP20NF04L, FDS6680

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