时间：2025/9/6 0:03:01
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LTNP20N04P 是一款由 Lonten Semiconductor（伦特半导体）制造的 N 沟道功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源转换器、电机驱动、电池管理系统、DC-DC 转换器以及各种开关电源应用。LTNP20N04P 采用先进的沟槽式 MOS 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合高功率密度设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：40V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：20A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：最大 18mΩ（在 Vgs=10V）
功耗（Pd）：150W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）等
LTNP20N04P 的核心特性包括极低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率；其高电流承载能力使其适用于高功率密度的电源设计。该器件采用先进的沟槽式 MOS 工艺，具有出色的热稳定性和可靠性。
此外，LTNP20N04P 的封装形式（如 TO-220 或 D2PAK）便于散热，适用于各种工业级和消费级应用。该器件具有良好的抗雪崩能力，可在恶劣的工作条件下保持稳定运行。
由于其快速开关特性，该 MOSFET 可用于高频开关电源设计，从而减小外部滤波元件的尺寸，提升系统整体性能。此外，其高栅极耐压能力（±20V）有助于提高抗干扰能力，避免栅极电压波动导致的误开通或损坏。
LTNP20N04P 主要应用于 DC-DC 转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、电源适配器、电机驱动器以及各种高功率开关电源系统。该器件也适用于工业自动化设备、LED 驱动电源、UPS（不间断电源）系统及储能系统中的功率开关电路。
Si2302DS, IRF3205, STP20NF04L, FDS6680
