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SPB80N03S2L05T 发布时间 时间:2025/7/4 7:27:07 查看 阅读:13

SPB80N03S2L05T是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于功率器件。该型号主要应用于需要高效能和低导通电阻的场景,其设计优化了开关特性和导通损耗,使其在高电流和高频应用中表现出色。这种器件通常用于电源管理、电机驱动、工业自动化以及消费类电子设备等领域。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:80A
  导通电阻:1.6mΩ
  栅极电荷:95nC
  开关速度:快速
  封装形式:TO-247

特性

SPB80N03S2L05T具有低导通电阻和高电流承载能力,这使得它在功率转换应用中效率更高。同时,其快速开关特性有助于减少开关损耗,从而提高整体系统性能。
  此外,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能表现。
  由于采用了先进的制造工艺,这款MOSFET还具备较低的寄生电感和电容,进一步提升了其动态性能和抗干扰能力。

应用

SPB80N03S2L05T适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于直流-直流转换器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器、电动汽车牵引逆变器、伺服驱动器等。此外,它也可以用于各种需要高效功率开关的场合,例如电池管理系统(BMS)和工业机器人中的功率控制模块。

替代型号

SPB80N03L05T, IRF840, FDP8870

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SPB80N03S2L05T参数

  • 现有数量0现货
  • 价格Digi-Key 停止提供
  • 系列OptiMOS?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态Digi-Key 停止提供
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)80A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)4.9 毫欧 @ 55A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2V @ 110μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)89.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)3320 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)167W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PG-TO263-3-2
  • 封装/外壳TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB