LTL307KRD 时间：2025/9/6 2:20:44 阅读：26

LTL307KRD 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。LTL307KRD 采用紧凑型表面贴装封装（如 TO-252 或 DPAK），便于在 PCB 上安装并节省空间。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：75A（最大值）
　　导通电阻（RDS(on)）：约 3.7mΩ（典型值，VGS = 10V）
　　功率耗散（PD）：83W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

LTL307KRD 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这有助于降低导通损耗，提高系统效率。该器件在 VGS = 10V 时的 RDS(on) 典型值仅为 3.7mΩ，使其适用于高电流应用。此外，LTL307KRD 具有较高的电流承载能力，漏极电流可达 75A，适合用于高功率密度设计。
　　LTL307KRD 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，确保了快速的开关速度和低开关损耗，这对于高频开关电源和同步整流器等应用尤为重要。该器件的热阻较低，有助于提高热稳定性和长期可靠性。
　　此外，LTL307KRD 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动损耗，提高整体能效。其栅极驱动电压范围宽广（通常为 4.5V 至 20V），支持与多种驱动器兼容，增强了设计灵活性。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适用于各种工业和汽车环境。其封装形式为 TO-252（DPAK），具有良好的热管理能力，便于散热并支持高密度布局。

应用

LTL307KRD 广泛应用于各类功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括 DC-DC 降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统、电机驱动器以及汽车电子系统等。
　　在电源管理领域，LTL307KRD 常用于同步整流拓扑中，以替代传统的肖特基二极管，从而显著提高转换效率。其低 RDS(on) 和高电流能力使其成为高性能电源模块的理想选择。
　　在汽车电子方面，该器件适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）等关键系统中，满足汽车工业对高可靠性和长寿命的要求。