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LTL307KRD 发布时间 时间:2025/9/6 2:20:44 查看 阅读:4

LTL307KRD 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件专为高效率、高频率的开关应用设计,广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。LTL307KRD 采用紧凑型表面贴装封装(如 TO-252 或 DPAK),便于在 PCB 上安装并节省空间。

参数

类型:N 沟道增强型 MOSFET
  漏源电压(VDS):30V
  栅源电压(VGS):±20V
  漏极电流(ID):75A(最大值)
  导通电阻(RDS(on)):约 3.7mΩ(典型值,VGS = 10V)
  功率耗散(PD):83W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

LTL307KRD 的核心特性之一是其低导通电阻(RDS(on)),这有助于降低导通损耗,提高系统效率。该器件在 VGS = 10V 时的 RDS(on) 典型值仅为 3.7mΩ,使其适用于高电流应用。此外,LTL307KRD 具有较高的电流承载能力,漏极电流可达 75A,适合用于高功率密度设计。
  LTL307KRD 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,确保了快速的开关速度和低开关损耗,这对于高频开关电源和同步整流器等应用尤为重要。该器件的热阻较低,有助于提高热稳定性和长期可靠性。
  此外,LTL307KRD 的栅极电荷(Qg)较低,有助于减少驱动损耗,提高整体能效。其栅极驱动电压范围宽广(通常为 4.5V 至 20V),支持与多种驱动器兼容,增强了设计灵活性。
  该器件的工作温度范围为 -55°C 至 175°C,适用于各种工业和汽车环境。其封装形式为 TO-252(DPAK),具有良好的热管理能力,便于散热并支持高密度布局。

应用

LTL307KRD 广泛应用于各类功率电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括 DC-DC 降压和升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统、电源分配系统、电机驱动器以及汽车电子系统等。
  在电源管理领域,LTL307KRD 常用于同步整流拓扑中,以替代传统的肖特基二极管,从而显著提高转换效率。其低 RDS(on) 和高电流能力使其成为高性能电源模块的理想选择。
  在汽车电子方面,该器件适用于车载充电器、电池管理系统(BMS)、电动助力转向系统(EPS)等关键系统中,满足汽车工业对高可靠性和长寿命的要求。

替代型号

IRF3710, STB75NF30, FDP3710

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