波长：870 nm
　　最大正向电流：100 mA
　　峰值正向电流：1.5 A
　　最大反向电压：5 V
　　工作温度范围：-40°C ~ +100°C
　　存储温度范围：-40°C ~ +100°C
　　封装类型：Surface Mount (SMD)
　　视角：± 30°
　　尺寸：5.6 mm x 2.8 mm x 2.1 mm

QTLP651CIBTR 是一款高亮度的红外发光二极管，其发射波长为870 nm，处于近红外区域，适用于大多数红外检测和感应系统。该器件采用高效的GaAlAs（砷化镓铝）材料制造，确保了良好的光电转换效率和较长的使用寿命。
　　该IR LED采用SMD封装形式，便于自动化装配和节省PCB空间，适用于高密度电路布局。其视角为±30°，能够提供较宽的辐射角度，适合需要广角发射的应用场景。
　　该器件具备良好的温度稳定性，可在-40°C至+100°C的温度范围内稳定工作，适用于工业级和消费类电子产品。其最大正向电流为100 mA，峰值正向电流可达1.5 A，支持脉冲工作模式，从而在需要高亮度短脉冲信号的应用中表现优异。
　　此外，QTLP651CIBTR 的封装材料具有良好的耐热性和机械稳定性，能有效防止因热应力或机械冲击造成的损坏，提升了产品的可靠性和耐用性。

QTLP651CIBTR 常用于红外遥控器、光电开关、光中断器、自动感应系统、安全监控设备、工业自动化控制、智能家电、红外通信系统等领域。
　　在红外遥控应用中，它可以作为红外发射器，配合红外接收模块实现远程控制功能；在光电开关和光中断器中，它与光电传感器配对使用，用于检测物体的存在或位置；在安全监控系统中，该LED可用于夜视摄像头的红外补光光源，提升夜间图像质量。
　　由于其SMD封装形式，该器件也广泛应用于紧凑型电子设备中，如智能门锁、智能家居控制面板、医疗设备中的非接触式检测系统等。

QTLP651C, QTLP652C, SFH 415, SFH 485, TSFF5510