时间：2025/9/6 0:19:40
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LTL2R3QFK 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和功率管理应用。该器件采用先进的半导体工艺制造，具备低导通电阻、高功率密度和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、同步整流、电机驱动、负载开关以及各种中高功率电子系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A（在25℃下）
导通电阻(Rds(on))：最大2.3mΩ（典型值1.8mΩ）
封装形式：LFPAK56（双面散热封装）
工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
功率耗散(Pd)：150W
LTL2R3QFK 的核心优势在于其极低的导通电阻，这显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用 Rohm 独有的 LFPAK56 封装技术，具备双面散热能力，有效提升热性能，从而在高电流应用中保持稳定运行。
此外，该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力，增强了在突发电压或电流冲击下的可靠性。其栅极设计优化了开关性能，降低了开关损耗，同时具备良好的抗干扰能力。
LTL2R3QFK 还具有高可靠性，适用于严苛的工业和汽车应用环境。其封装无铅且符合 RoHS 环保标准，适合环保要求较高的设计项目。
LTL2R3QFK 主要应用于高效率电源系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电源管理模块、服务器电源、电信设备电源、电池管理系统（BMS）以及车载电源系统等。
由于其优异的导通特性和热性能，该器件特别适合用于需要高电流和高效率的电源转换系统，例如电动汽车充电模块、工业自动化设备和高性能计算设备的电源管理单元。
R6024KNX、SQJA40EP、SiR182DP
