MURF1620 时间：2025/9/3 14:46:10 阅读：33

MURF1620 是一款由 ON Semiconductor 生产的高效率、高压、高频 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于需要高功率密度和高开关频率的应用场景，例如电源转换器、DC-DC 转换器、电机驱动以及工业控制设备等。MURF1620 具有低导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗并提高系统效率。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（Id）：16A
　　漏源电压（Vds）：200V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：最大 0.17Ω @ Vgs = 10V
　　栅极电荷 Qg：35nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-220AB

特性

MURF1620 是一款高性能功率 MOSFET，其设计优化了多个关键参数以满足高功率应用的需求。首先，其漏源电压（Vds）可达 200V，适用于中高电压应用场景，如工业电源和马达控制。其次，该器件的最大漏极电流为 16A，能够支持较高负载条件下的稳定运行。
　　该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.17Ω，这一低电阻值有助于降低在导通状态下的功率损耗，提高整体能效。此外，MURF1620 的栅极电荷 Qg 仅为 35nC（典型值），这使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗，从而提升系统效率并减少发热。
　　封装方面，MURF1620 采用 TO-220AB 封装，这种封装形式具有良好的热管理和机械稳定性，适合在高功率密度和散热要求较高的环境中使用。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C，表现出良好的温度耐受性，适用于严苛的工业环境。
　　值得一提的是，MURF1620 的栅源电压（Vgs）为 ±20V，具有较高的栅极电压容忍度，这使得它在各种驱动电路中具有较好的兼容性和稳定性。因此，该器件在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用中表现优异。

应用

MURF1620 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关性能的电子系统中。常见的应用包括工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动电路、负载开关以及自动化控制系统等。此外，其高耐压和良好热性能也使其适用于电动汽车（EV）充电设备、太阳能逆变器和储能系统等新能源领域。