MURF1620 是一款由 ON Semiconductor 生产的高效率、高压、高频 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于需要高功率密度和高开关频率的应用场景,例如电源转换器、DC-DC 转换器、电机驱动以及工业控制设备等。MURF1620 具有低导通电阻(Rds(on))和优化的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗并提高系统效率。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(Id):16A
漏源电压(Vds):200V
栅源电压(Vgs):±20V
导通电阻 Rds(on):最大 0.17Ω @ Vgs = 10V
栅极电荷 Qg:35nC(典型值)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-220AB
MURF1620 是一款高性能功率 MOSFET,其设计优化了多个关键参数以满足高功率应用的需求。首先,其漏源电压(Vds)可达 200V,适用于中高电压应用场景,如工业电源和马达控制。其次,该器件的最大漏极电流为 16A,能够支持较高负载条件下的稳定运行。
该 MOSFET 的导通电阻 Rds(on) 最大为 0.17Ω,这一低电阻值有助于降低在导通状态下的功率损耗,提高整体能效。此外,MURF1620 的栅极电荷 Qg 仅为 35nC(典型值),这使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗,从而提升系统效率并减少发热。
封装方面,MURF1620 采用 TO-220AB 封装,这种封装形式具有良好的热管理和机械稳定性,适合在高功率密度和散热要求较高的环境中使用。此外,其工作温度范围为 -55°C 至 +175°C,表现出良好的温度耐受性,适用于严苛的工业环境。
值得一提的是,MURF1620 的栅源电压(Vgs)为 ±20V,具有较高的栅极电压容忍度,这使得它在各种驱动电路中具有较好的兼容性和稳定性。因此,该器件在电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等应用中表现优异。
MURF1620 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关性能的电子系统中。常见的应用包括工业电源、开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动电路、负载开关以及自动化控制系统等。此外,其高耐压和良好热性能也使其适用于电动汽车(EV)充电设备、太阳能逆变器和储能系统等新能源领域。
IRF840, FDPF16N20, STP16NF20, FQP16N20C