类型：齐纳二极管
　　封装：SOD-323
　　齐纳电压：10V（标称值）
　　最大耗散功率：200mW
　　最大齐纳电流：200mA
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　最大反向漏电流：100nA @ VR
　　动态阻抗（Zzt）：50Ω（最大值）

LM3Z10VT1G 的主要特性之一是其出色的电压稳定性，能够在广泛的电流范围内维持稳定的齐纳电压。该器件采用了先进的硅技术，确保在不同温度和负载条件下仍能保持电压的稳定性。SOD-323封装具有较小的体积，适合用于高密度PCB设计，并提供良好的热性能和机械强度。
　　此外，LM3Z10VT1G具备低动态阻抗，使其在负载变化时仍能提供稳定的电压输出。它还具有较低的反向漏电流，在非工作状态下对电路的影响较小。器件的响应速度快，适用于需要快速电压调节的应用场合。
　　该齐纳二极管在制造过程中经过严格筛选，确保其电气性能符合标准。ON Semiconductor在该系列中提供了多种电压等级的产品，用户可以根据具体需求选择合适的型号。

LM3Z10VT1G 主要用于电源管理电路、电压参考源、信号调节电路、过压保护电路等场景。在模拟电路中，它常用于为运算放大器、比较器等器件提供稳定的参考电压。在数字电路中，它可用于电压电平转换或保护输入端口免受静电放电（ESD）影响。
　　由于其良好的温度稳定性和低功耗特性，LM3Z10VT1G 也广泛应用于便携式设备、工业控制系统、通信设备以及消费类电子产品中。在汽车电子系统中，它可以用于传感器信号调节或电源稳压电路，以提高系统的可靠性和稳定性。
　　该器件还可用于测试和测量设备中的基准电压源，确保测量结果的准确性。在电池管理系统中，LM3Z10VT1G 可用于监测电池电压，防止过充或过放情况的发生。

LM3Z10BUT1G, LM3Z10DT1G, BZX84C10LT1G, BZX84C10CT1G