时间：2025/9/6 3:58:12
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LTL1RMVSKNT 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于多种高频率开关应用。该器件采用紧凑的 SOT-23 封装，适合空间受限的电路设计。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：100 mA
最大漏源电压（VDS）：100 V
最大栅源电压（VGS）：±20 V
导通电阻（RDS(on)）：1.2 Ω @ VGS = 10 V
功率耗散（PD）：200 mW
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
LTL1RMVSKNT 具备多项优异特性，使其在低功耗和高可靠性应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为 1.2 Ω，在 10 V 栅极电压下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高漏源击穿电压（100 V），能够在中等电压环境下稳定工作，适用于多种电源管理和开关电路。
此外，LTL1RMVSKNT 的栅极驱动电压范围宽广（最大 ±20 V），具备良好的兼容性，能够与多种驱动电路配合使用。其采用 SOT-23 封装，体积小巧，适合在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热管理能力，能够在较高温度环境下稳定运行。
LTL1RMVSKNT 广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：便携式电子产品中的电源管理模块、小型 DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电池管理系统、传感器控制电路以及继电器或电机驱动电路。由于其具备高电压耐受能力和低导通电阻，特别适合用于需要高效能和高稳定性的开关控制场景。在工业自动化控制系统中，该器件也可用于信号切换和功率调节功能。
2N7002, BSS138, FDN337N, PMV48XP
