LTL1RMVSKNT 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具备低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性,适用于多种高频率开关应用。该器件采用紧凑的 SOT-23 封装,适合空间受限的电路设计。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):100 mA
最大漏源电压(VDS):100 V
最大栅源电压(VGS):±20 V
导通电阻(RDS(on)):1.2 Ω @ VGS = 10 V
功率耗散(PD):200 mW
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23
LTL1RMVSKNT 具备多项优异特性,使其在低功耗和高可靠性应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))为 1.2 Ω,在 10 V 栅极电压下能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件具有高漏源击穿电压(100 V),能够在中等电压环境下稳定工作,适用于多种电源管理和开关电路。
此外,LTL1RMVSKNT 的栅极驱动电压范围宽广(最大 ±20 V),具备良好的兼容性,能够与多种驱动电路配合使用。其采用 SOT-23 封装,体积小巧,适合在高密度 PCB 设计中使用,同时具备良好的热管理能力,能够在较高温度环境下稳定运行。
LTL1RMVSKNT 广泛应用于多种电子设备中,包括但不限于:便携式电子产品中的电源管理模块、小型 DC-DC 转换器、LED 驱动电路、电池管理系统、传感器控制电路以及继电器或电机驱动电路。由于其具备高电压耐受能力和低导通电阻,特别适合用于需要高效能和高稳定性的开关控制场景。在工业自动化控制系统中,该器件也可用于信号切换和功率调节功能。
2N7002, BSS138, FDN337N, PMV48XP