类型：MOSFET（N沟道）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：1.1A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：200mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSMT4
　　安装类型：表面贴装

LTL1RMTBK4-M 是一款高性能的N沟道MOSFET，具有低导通电阻和快速开关特性，非常适合用于高效率的电源管理应用。其低RDS(on)特性减少了导通损耗，从而提高了整体系统的效率。此外，该器件的快速开关能力有助于减少开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。LTL1RMTBK4-M 采用了ROHM先进的半导体制造工艺，确保了其在高温和高电流条件下的稳定性和可靠性。其紧凑的表面贴装封装（TSMT4）使其非常适合用于空间受限的设计中，同时也简化了PCB布局。该器件还具有良好的热稳定性，能够在宽温度范围内正常工作，适用于工业级和消费级电子设备。ROHM为该器件提供了详细的技术文档和应用指南，方便工程师进行设计和选型。

LTL1RMTBK4-M 主要应用于需要高效电源管理的电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统和电源分配系统。其低导通电阻和快速开关特性使其成为便携式电子产品、小型电机控制电路、LED驱动电路以及各种低电压高效率应用的理想选择。此外，该器件也可用于汽车电子系统中的电源管理模块，以提高系统的整体能效。

LTL1RMTBK4-M 的替代型号包括LTL1RMTBK4-M-HF和LTL1RMTBK4-M-E。这些型号在性能参数和封装形式上与LTL1RMTBK4-M相似，适用于相同的应用场景。