RJ2321CB2PB 时间：2025/8/28 17:17:30 阅读：4

RJ2321CB2PB 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。该器件采用高密度沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适用于中高功率级别的电子系统。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：60A
　　最大漏-源电压 (Vds)：30V
　　最大栅-源电压 (Vgs)：±20V
　　导通电阻 Rds(on)：约 4.5mΩ（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：双面散热（DSOP）或 PowerPAK? SO-8 双面散热封装

特性

RJ2321CB2PB 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式技术，实现了高电流密度和优异的热性能，使其在高负载条件下依然保持稳定运行。
　　此外，RJ2321CB2PB 具有优异的热阻性能，采用双面散热封装，使得热量可以更有效地从器件的顶部和底部散发出去，从而提升了整体的热管理能力。这种设计特别适合于高功率密度的应用，如同步整流、DC-DC 转换器、电池管理系统和电机控制电路。
　　该 MOSFET 还具有较高的栅极阈值电压稳定性，增强了其在高频开关应用中的可靠性。内置的雪崩能量保护功能提升了器件在高电压瞬态情况下的耐受能力，从而延长了器件的使用寿命。同时，RJ2321CB2PB 的封装设计符合 RoHS 标准，支持环保制造流程。

应用

RJ2321CB2PB 被广泛应用于多种电源管理系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电机驱动器、电池充电系统以及汽车电子系统。在汽车应用中，它常用于车载电源转换系统、电动助力转向系统（EPS）和车载信息娱乐系统（IVI）等场景。在工业领域，该器件适用于自动化控制系统、工业电源模块和服务器电源系统等高要求的电子设备中。