时间：2025/9/7 15:44:17
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2SK1869L是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场合。该器件采用了先进的沟槽技术，以实现低导通电阻和优异的开关性能。它常用于电源管理、DC-DC转换器以及电机控制等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流：5A
最大漏-源电压：60V
最大栅-源电压：20V
导通电阻（Rds(on)）：0.38Ω @ Vgs=10V
栅极电荷：12nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
2SK1869L的主要特点包括其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高效率。此外，该器件具有快速的开关速度，使其非常适合高频应用。它还具有良好的热稳定性和高电流承载能力，能够在严苛的工作条件下保持可靠运行。
这款MOSFET采用了小型化封装设计，节省了PCB空间，同时保证了良好的散热性能。此外，它还具备一定的过载和短路保护能力，延长了整体系统的寿命。
2SK1869L通常用于各种电源管理电路中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关以及电机驱动器等。此外，它也适用于电池供电设备、工业自动化控制系统以及消费类电子产品中的功率控制部分。
2SK1869, 2SK1870, 2SK1871
