时间:2025/12/28 21:11:51
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LH52256N-90LL是一款由Rochester Electronics制造的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256Kbit,组织形式为32K x 8位。这款芯片采用CMOS技术制造,具备高速访问时间,适用于需要高性能存储解决方案的工业和商业应用。该器件封装为52引脚TSOP,适用于各种嵌入式系统、工业控制设备和网络设备。LH52256N-90LL以其高可靠性和稳定性著称,适用于要求苛刻的电子系统。
容量:256Kbit
组织结构:32K x 8位
访问时间:90ns
电源电压:3.3V 或 5V(视具体型号而定)
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)或商业级(0°C至70°C)
封装形式:52引脚TSOP
功耗:典型值100mA(工作模式),待机电流小于10mA
引脚兼容性:与标准SRAM引脚兼容
数据保持电压:最低1.5V(用于数据保持)
LH52256N-90LL具有多项显著特性,使其适用于高性能存储应用。首先,其高速访问时间为90ns,能够满足高速数据读写需求,适用于需要快速响应的嵌入式系统。其次,该芯片支持3.3V或5V电源电压,提供更广泛的应用兼容性。此外,该芯片采用低功耗CMOS技术,在保持高性能的同时,确保功耗处于较低水平,适用于对能耗敏感的系统。
LH52256N-90LL支持异步操作,具备独立的读写控制信号,便于与各种微处理器和控制器接口。其52引脚TSOP封装不仅减小了PCB空间占用,还提高了机械稳定性和热稳定性,适用于工业环境。此外,该芯片支持数据保持模式,在低电压状态下仍可维持数据完整性,适用于需要长时间保持数据的应用场景。
该芯片符合RoHS环保标准,无铅封装,适用于现代环保电子设备。同时,其高可靠性和稳定性使其在工业控制、通信设备和消费电子中均有广泛应用。
LH52256N-90LL广泛应用于需要高速、低功耗存储的嵌入式系统。例如,它可用于工业自动化设备中的数据缓冲和临时存储,确保系统在断电或重启时仍能保留关键数据。此外,该芯片也适用于通信设备,如路由器和交换机,作为高速缓存存储器,提高数据处理效率。
在消费电子产品中,LH52256N-90LL可用于智能家电、便携式设备和游戏机等设备中的数据存储单元,提供快速访问和低功耗性能。在汽车电子领域,该芯片可用于车载控制系统、仪表盘显示和车载娱乐系统等应用,满足汽车环境下的稳定性和可靠性要求。
由于其异步接口设计,LH52256N-90LL也常用于与传统微处理器或FPGA配合使用的场合,作为外部存储器扩展模块。
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