时间：2025/5/8 8:46:26
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LT4363 是一款由凌力尔特（Linear Technology，现为ADI公司的一部分）设计的高效率、低静态电流理想二极管控制器。该器件可以驱动两个N沟道MOSFET以取代肖特基二极管，从而显著降低导通损耗并提高系统效率。其紧凑型设计非常适合需要高效电源管理的便携式设备和热插拔应用。
LT4363MPMS-2#PBF 是该系列的一个特定封装版本，采用2mm x 3mm MSOP-10 封装，适合高密度布局设计。
输入电压范围：4V 至 60V
最大栅极驱动电压：8.5V
静态电流）
关断电流：1μA（最大值）
工作温度范围：-40°C 至 125°C
理想二极管导通阈值：20mV（典型值）
MOSFET栅极驱动能力：±450mA
保护功能：反向电池保护、负载短路保护
LT4363 可通过外部N沟道MOSFET实现低至20mV的理想二极管正向压降，远低于传统肖特基二极管的典型0.4V压降。这使得它在电池供电系统中特别有用，能够减少功耗并延长电池寿命。
此外，该器件具有快速动态响应能力，能够在负载瞬变期间保持输出电压稳定。其低静态电流特性使其非常适合始终开启的应用场景。
内置保护功能包括反向输入保护、输出短路保护以及过温关断保护，确保在各种异常条件下正常运行。
其小型化MSOP-10封装使它成为空间受限应用的理想选择，同时简化了PCB布局设计。
该芯片广泛应用于电池供电设备中的电源路径管理，例如笔记本电脑、平板电脑和便携式医疗设备等。它可以用于热插拔电路设计，以保护下游电子设备免受输入电压瞬态的影响。
此外，LT4363 还可用于汽车电子系统中的电源切换应用，确保在发动机启动或停止时维持稳定的电源供应。在电信和工业设备中，它可以用作冗余电源切换解决方案的一部分。
LT4363HVMPBF
LT4363IMSM-2#PBF
LT4363HVIMSB#TRPBF
