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SPW35N60CFD 发布时间 时间:2025/7/23 17:59:57 查看 阅读:13

SPW35N60CFD 是一款由英飞凌(Infineon)推出的功率MOSFET,专为高电压和高电流应用设计。该器件采用了先进的CoolMOS?技术,具有较低的导通电阻和出色的开关性能,适用于电源转换、电机控制以及各种高功率电子系统。SPW35N60CFD的额定电压为600V,最大连续漏极电流可达35A,能够提供高效、可靠的操作。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):35A
  导通电阻(Rds(on)):约0.15Ω
  栅极电荷(Qg):约70nC
  封装形式:TO-247
  工作温度范围:-55°C至150°C

特性

SPW35N60CFD采用了英飞凌的CoolMOS?技术,使其在高压应用中表现出色。这种技术显著降低了导通损耗和开关损耗,提高了整体能效。此外,该器件的封装设计提供了良好的热管理和机械稳定性,适用于严苛的工业环境。其高电流承载能力和低导通电阻也使其在高功率应用中表现出色。SPW35N60CFD还具有出色的抗雪崩能力和过载保护特性,确保器件在极端条件下仍能可靠运行。
  在开关性能方面,SPW35N60CFD的栅极电荷较低,能够实现快速的开关动作,减少开关损耗并提高系统的整体效率。同时,该器件的温度系数优化,使其在高温环境下依然保持稳定的性能。这些特性使得SPW35N60CFD成为高性能电源转换和电机控制应用的理想选择。

应用

SPW35N60CFD广泛应用于各种高功率电子设备中,包括开关电源(SMPS)、电机驱动器、逆变器、UPS系统以及工业自动化设备。其高效的能量转换能力和可靠的性能使其成为许多高电压和高电流应用的首选器件。此外,该器件还可用于电动汽车充电设备和太阳能逆变器等新能源领域。

替代型号

SPW35N60CFD的替代型号包括SPW47N60CFD和SPW20N60CFD。

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SPW35N60CFD参数

  • 数据列表SPW35N60CFD
  • 产品培训模块CoolMOS™ CP Switching BehaviorCoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列CoolMOS™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)600V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C34.1A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C118 毫欧 @ 21.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5V @ 1.9mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs212nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5060pF @ 25V
  • 功率 - 最大313W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000065487SPW35N60CFD-NDSPW35N60CFDINSPW35N60CFDXSPW35N60CFDXK