LSP2200CALS 是一款由 Littelfuse 生产的 P 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效率电源管理系统。该器件具有低导通电阻(Rds(on))和高功率密度,适用于各种电源转换和负载开关应用。LSP2200CALS 采用先进的半导体技术,提供出色的热稳定性和可靠性,适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
类型:P 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds):20V
栅源电压 (Vgs):±12V
连续漏极电流 (Id):-6A
导通电阻 (Rds(on)):32mΩ @ Vgs = -4.5V,50mΩ @ Vgs = -2.5V
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:DFN(双扁平无引脚)
安装类型:表面贴装
LSP2200CALS 具有多个显著特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通损耗,提高了整体系统效率。在 Vgs = -4.5V 时,Rds(on) 仅为 32mΩ,而在更低的栅极电压(如 -2.5V)下,Rds(on) 仍保持在 50mΩ 的较低水平,这使得该器件适用于低电压栅极驱动电路。
其次,LSP2200CALS 采用 DFN 封装,具有较小的封装尺寸和良好的热性能,有助于在高电流应用中实现有效的散热。其表面贴装封装也简化了 PCB 布局并提高了制造效率。
此外,该 MOSFET 具有高电流承载能力,在连续漏极电流方面可达 -6A,适用于中等功率负载开关和 DC-DC 转换器。其宽工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其适用于恶劣的工业和汽车环境。
最后,该器件具有良好的栅极电荷特性,降低了开关损耗,并提高了高频开关应用中的性能。这使得 LSP2200CALS 在电源管理、负载开关和电池供电系统中成为一款可靠且高效的选择。
LSP2200CALS 主要应用于需要高效功率管理的电子系统中。常见的应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电源管理模块、电池管理系统(BMS)、汽车电子系统(如车身控制模块和车载充电器)以及工业控制设备。其低导通电阻和高电流能力使其成为高效率电源转换和负载管理的理想选择。此外,它也适用于需要高可靠性和良好热管理的小型电源模块和便携式设备。
Si4435DY, IRML2803, FDMS3618, BSC032P03MS