类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：150 V
　　连续漏极电流（Id）：30 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：120 A
　　栅源电压（Vgs）：±20 V
　　导通电阻Rds(on)：最大27 mΩ @ Vgs = 10 V, Id = 15 A
　　导通电阻Rds(on)：最大35 mΩ @ Vgs = 4.5 V, Id = 15 A
　　栅极电荷（Qg）：典型值 72 nC @ Vds = 100 V, Id = 30 A
　　输入电容（Ciss）：典型值 2450 pF @ Vds = 25 V
　　反向恢复时间（trr）：典型值 96 ns
　　工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
　　封装/包装：TO-220AB
　　安装类型：通孔

IRKH91/14采用英飞凌先进的Superjunction MOSFET技术，结合了沟道优化设计与场截止结构，显著降低了导通损耗和开关损耗。这种设计使其在高频开关应用中表现尤为突出，能够有效提升整体系统的效率。器件的低Rds(on)特性意味着在导通状态下产生的热量更少，从而减少了对外部散热装置的依赖，有助于缩小终端产品的体积并降低成本。
　　该MOSFET具备优异的dv/dt抗扰能力，能够在高噪声环境中稳定运行，避免因电压瞬变引起的误触发。同时，其较高的雪崩能量承受能力增强了器件在异常工况下的鲁棒性，例如在感性负载切换或电源突变时仍可维持安全工作。
　　IRKH91/14的栅极电荷Qg较低，这直接提升了开关速度，并减小了驱动电路所需的功耗，非常适合用于PWM控制电路中。输入电容Ciss也经过优化，在高频操作下不会引入过大的容性负载，有利于提高驱动信号的响应速度。
　　器件支持宽范围的工作结温（-55°C至+175°C），可在极端温度条件下可靠运行，适用于汽车电子、工业自动化等对环境适应性要求高的领域。此外，其封装采用标准TO-220AB形式，便于手工焊接与自动化装配，兼容现有的生产工艺流程。
　　值得一提的是，IRKH91/14通过了AEC-Q101认证，表明其满足汽车级元器件的可靠性测试标准，可用于车载电源系统、电动助力转向（EPS）、车身控制模块等关键部位。综合来看，该器件不仅在电气性能上领先同类产品，还在可靠性、热管理与制造兼容性方面展现出全面优势。

IRKH91/14主要用于各类中高功率开关电源系统，包括但不限于AC-DC适配器、服务器电源、电信整流模块以及光伏逆变器中的直流母线开关部分。其低导通电阻和高电流承载能力使其在PFC（功率因数校正）电路中作为主开关管使用时，能有效降低传导损耗，提高能效等级。
　　在电机驱动领域，该器件可用于直流电机、步进电机及BLDC（无刷直流电机）的H桥驱动电路中，提供快速响应与高效控制。由于其具备较强的过载与短路耐受能力，能够在启停频繁或负载波动较大的工况下长期稳定运行。
　　此外，IRKH91/14还常见于LED照明驱动电源中，特别是在大功率恒流源设计中，用于实现精确的电流调节与高效的能量转换。其快速开关特性有助于减少电磁干扰（EMI），提升照明系统的电磁兼容性。
　　在工业自动化设备中，如PLC（可编程逻辑控制器）、继电器模块和电源分配单元中，该MOSFET被用作负载开关或隔离器件，以实现远程控制与故障保护功能。其高温工作能力确保在密闭或通风不良的机柜内也能正常运作。
　　由于通过AEC-Q101认证，IRKH91/14也被广泛应用于汽车电子系统中，例如车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）以及空调压缩机驱动等场景，满足车规级对寿命、可靠性和安全性的严格要求。

IPB015N15N5
　　SPW47N150CFD
　　IKW25N150H3