LRS18AZ 时间：2025/8/28 3:47:45 阅读：24

LRS18AZ 是一款由 Rohm（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频开关应用，具有低导通电阻和高功率密度的特点，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。LRS18AZ 采用小型化封装，便于在空间受限的电路中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏极电流：18A
　　最大漏-源电压：30V
　　导通电阻（Rds(on)）：22mΩ（典型值）
　　栅极电压：10V
　　最大功耗：2W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8
　　输入电容：900pF（典型值）

特性

LRS18AZ 的核心特性在于其低导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下能够实现充分导通，确保在高频开关应用中保持稳定性能。
　　此外，LRS18AZ 采用 PowerPAK SO-8 封装，具有优良的热管理能力，能够在高电流负载下保持较低的温升。该封装还支持表面贴装工艺（SMT），便于自动化生产和提高 PCB 布局的灵活性。
　　在电气特性方面，LRS18AZ 具有较高的雪崩耐量和抗过载能力，能够承受短时间的高电压和大电流冲击，增强了器件在复杂工况下的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提升开关速度，适用于高频率的 PWM 控制应用，如电源转换器、同步整流器和电池管理系统等。
　　其广泛的工作温度范围（-55°C 至 150°C）使其适用于各种恶劣环境，包括汽车电子、工业控制和消费类电子产品。

应用

LRS18AZ 广泛应用于各种功率电子系统中，尤其是在需要高效能和小型化设计的场合。典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、负载开关控制、电机驱动器以及电源管理模块。
　　在汽车电子领域，LRS18AZ 可用于车载电源转换器、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统电源管理等场景。
　　在工业自动化和控制系统中，它适用于 PLC 模块、伺服驱动器、电源适配器以及各种开关电源（SMPS）设计。
　　此外，该器件也常用于消费类电子产品中的电源管理单元，如笔记本电脑、平板电脑、智能音箱和无线充电设备等，以提高能源利用效率并减少热量产生。