LRS18AZ 是一款由 Rohm(罗姆)半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件设计用于高效率、高频开关应用,具有低导通电阻和高功率密度的特点,适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。LRS18AZ 采用小型化封装,便于在空间受限的电路中使用,同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流:18A
最大漏-源电压:30V
导通电阻(Rds(on)):22mΩ(典型值)
栅极电压:10V
最大功耗:2W
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装形式:PowerPAK SO-8
输入电容:900pF(典型值)
LRS18AZ 的核心特性在于其低导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通状态下的功率损耗,提高整体系统效率。该器件在 10V 栅极驱动电压下能够实现充分导通,确保在高频开关应用中保持稳定性能。
此外,LRS18AZ 采用 PowerPAK SO-8 封装,具有优良的热管理能力,能够在高电流负载下保持较低的温升。该封装还支持表面贴装工艺(SMT),便于自动化生产和提高 PCB 布局的灵活性。
在电气特性方面,LRS18AZ 具有较高的雪崩耐量和抗过载能力,能够承受短时间的高电压和大电流冲击,增强了器件在复杂工况下的可靠性。
该 MOSFET 还具备较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗,提升开关速度,适用于高频率的 PWM 控制应用,如电源转换器、同步整流器和电池管理系统等。
其广泛的工作温度范围(-55°C 至 150°C)使其适用于各种恶劣环境,包括汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
LRS18AZ 广泛应用于各种功率电子系统中,尤其是在需要高效能和小型化设计的场合。典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电池充电与管理系统、负载开关控制、电机驱动器以及电源管理模块。
在汽车电子领域,LRS18AZ 可用于车载电源转换器、LED 照明驱动、车载信息娱乐系统电源管理等场景。
在工业自动化和控制系统中,它适用于 PLC 模块、伺服驱动器、电源适配器以及各种开关电源(SMPS)设计。
此外,该器件也常用于消费类电子产品中的电源管理单元,如笔记本电脑、平板电脑、智能音箱和无线充电设备等,以提高能源利用效率并减少热量产生。
Si4410BDY, IRF7413PBF, FDS6680, AO4406A