时间：2025/8/25 1:21:59
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ISL9V5045S3ST_F085是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高性能功率管理的场合。该器件采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(ON)），从而减少导通损耗，提高整体效率。其封装形式为3引脚的TO-252（DPAK）封装，便于散热和安装。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：45V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：100A
RDS(ON)（最大值）：8.5mΩ @ VGS = 10V
导通时间：典型值为12ns
关断时间：典型值为28ns
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
ISL9V5045S3ST_F085采用先进的沟槽MOSFET技术，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），从而显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计。其快速的开关特性有助于降低开关损耗，提高开关频率，从而减小外部元件的尺寸和成本。该MOSFET的封装设计提供了良好的热管理性能，确保在高负载条件下也能保持稳定运行。
此外，ISL9V5045S3ST_F085具备高耐用性和可靠性，能够承受高工作温度并保持稳定的电气性能。它具有良好的栅极氧化层保护，能够耐受高电压瞬态，防止因电压尖峰导致的损坏。该器件的高雪崩能量耐受能力也使其适用于需要高可靠性的应用场合，如汽车电子和工业控制领域。
在驱动方面，ISL9V5045S3ST_F085支持标准逻辑电平驱动，可与常见的PWM控制器和驱动IC兼容，简化了设计流程。其较低的栅极电荷（Qg）也减少了驱动电路的功耗，提高了整体系统的效率。
ISL9V5045S3ST_F085广泛应用于多个高功率电子系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和马达控制电路。在电源管理系统中，它常用于服务器、电信设备和工业自动化设备中的高效电源模块。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统（BMS）、不间断电源（UPS）以及新能源汽车中的功率控制单元。在汽车电子应用中，它可用于车载充电器、DC-DC变换器以及电机驱动系统，满足对高可靠性和高效率的严格要求。
SiSS152DN-T1-GE3
FDS6680AS
FDMS86180
