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2SC3689-TB-E 发布时间 时间:2025/9/20 14:22:53 查看 阅读:8

2SC3689-TB-E是一款由Toshiba(东芝)公司生产的NPN型硅晶体管,广泛应用于高频放大和开关电路中。该器件采用小型表面贴装封装(如SOT-89),具有良好的高频性能和热稳定性,适用于便携式通信设备、射频模块以及各类低噪声放大器(LNA)应用。2SC3689-TB-E特别适合在需要高增益和低噪声系数的场合使用,例如在无线局域网(WLAN)、蓝牙模块、移动电话前端模块以及其他高频信号处理系统中。该晶体管经过优化设计,在高频下仍能保持较高的电流增益(hFE)和较低的反馈电容,从而确保了电路的稳定性和效率。此外,其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间,非常适合现代高密度电子产品布局的需求。由于采用了先进的半导体制造工艺,2SC3689-TB-E具备优异的一致性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内稳定运行。这款器件通常用于替代传统的通孔插装型三极管,以满足自动化贴片生产的需求,并提升整体产品的良率与可制造性。

参数

型号:2SC3689-TB-E
  极性:NPN
  最大集电极-发射极电压(VCEO):12V
  最大集电极电流(IC):500mA
  最大功耗(Ptot):250mW
  直流电流增益(hFE):70 - 700(典型值取决于测试条件)
  特征频率(fT):12GHz
  噪声系数(NF):0.7dB @ 1GHz
  封装类型:SOT-89
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C
  集电极-基极电压(VCBO):12V
  发射极-基极电压(VEBO):3V
  饱和压降(VCE(sat)):0.3V @ IC = 100mA, IB = 10mA

特性

2SC3689-TB-E具备出色的高频放大能力,其特征频率(fT)高达12GHz,使其能够有效工作于微波频段的应用场景,如2.4GHz和5.8GHz的无线通信系统。该晶体管在高频条件下依然保持较低的噪声系数,典型值为0.7dB(在1GHz时),这使得它成为低噪声放大器(LNA)的理想选择。其宽泛的直流电流增益范围(70至700)允许制造商根据具体应用需求进行筛选配对,从而优化电路的整体性能。器件的输入输出电容较小,减少了高频下的信号损耗和失真,提升了系统的带宽和响应速度。
  该晶体管采用SOT-89表面贴装封装,不仅体积小巧,而且具有较好的散热性能,能够在有限的空间内实现高效的热管理。这种封装方式也便于自动化贴片机作业,提高生产效率并降低制造成本。2SC3689-TB-E的设计考虑了电磁兼容性(EMC)问题,其引脚布局有助于减少寄生电感和电容效应,从而增强高频工作的稳定性。
  在可靠性方面,该器件通过了严格的工业标准测试,包括高温反偏(HTRB)、高温存储寿命(HTSL)等,确保在恶劣环境下的长期稳定运行。同时,其工作结温可达+150°C,适用于高温应用场景。由于材料和工艺的先进性,该晶体管还表现出良好的抗静电能力和耐湿性能,符合现代电子产品对可靠性的高要求。这些综合特性使2SC3689-TB-E在高性能模拟射频电路中占据重要地位。

应用

2SC3689-TB-E主要用于高频小信号放大电路,常见于无线通信系统的射频前端模块中,如Wi-Fi路由器、蓝牙音频设备、Zigbee传感器网络以及智能手机中的RF接收链路。其低噪声特性和高增益表现使其非常适合用作天线后的第一级放大器(即低噪声放大器LNA),以提升接收灵敏度并抑制后续电路引入的噪声。此外,该器件也可用于振荡器电路中作为有源元件,提供稳定的信号放大与反馈控制。
  在无线局域网(WLAN)设备中,尤其是在支持IEEE 802.11b/g/n/ac协议的模块中,2SC3689-TB-E可用于2.4GHz频段的信号放大。同样,在5.8GHz频段的部分应用中,凭借其高达12GHz的特征频率,也能实现有效的增益支持。除了通信领域,该晶体管还可应用于电视调谐器、卫星接收装置、无线麦克风系统以及遥控无人机的图传模块等需要高频放大的电子设备。
  由于其SOT-89封装的小尺寸特性,2SC3689-TB-E也非常适合用于便携式或穿戴式设备中,这类产品对空间和功耗都有严格限制。在一些精密测量仪器或测试设备中,该晶体管也被用于构建宽带放大器或缓冲级电路,以保证信号完整性。总体而言,凡是需要在GHz级别频率下实现高效、低噪、稳定放大的场合,2SC3689-TB-E都是一种可靠且性能优越的选择。

替代型号

[
   "2SC3689",
   "2SC3689-TB",
   "MMBT3904",
   "2N3904",
   "BFR92A"
  ]

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2SC3689-TB-E参数

  • 安装类型表面贴装
  • 宽度1.5mm
  • 封装类型CP
  • 尺寸2.9 x 1.5 x 1.1mm
  • 引脚数目3
  • 晶体管类型NPN
  • 最大功率耗散200 mW
  • 最大发射极-基极电压15 V
  • 最大基极-发射极饱和电压1.1 V
  • 最大直流集电极电流100 mA
  • 最大集电极-发射极电压50 V
  • 最大集电极-发射极饱和电压0.5 V
  • 最大集电极-基极电压60 V
  • 最小直流电流增益800 V
  • 最高工作温度+150 °C
  • 最高工作频率200 MHz
  • 每片芯片元件数目1
  • 类别高 hFE、低频通用
  • 配置
  • 长度2.9mm
  • 高度1.1mm