时间：2025/8/13 6:17:10
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LRC1161DT5G 是一款由 LRC（乐山无线电股份有限公司）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于各种电子设备中的电源管理和开关应用。该器件采用了先进的平面技术，具有较低的导通电阻和快速的开关特性，适用于高效率电源转换系统。LRC1161DT5G 采用 TO-252 封装，便于散热和安装。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(ON)）：≤45mΩ（在 VGS=10V 时）
功耗（PD）：83W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252
LRC1161DT5G 的主要特点包括低导通电阻、高耐压能力和快速开关性能。其低导通电阻使得在导通状态下的功率损耗非常小，从而提高了系统的整体效率。该器件的漏源耐压高达 60V，适用于多种中高功率应用场合。此外，LRC1161DT5G 的开关速度较快，能够满足高频开关电路的需求，减少开关损耗。
该 MOSFET 还具备良好的热稳定性和过载能力，在高负载条件下仍能保持稳定的性能。TO-252 封装设计提供了良好的散热性能，确保器件在高功率应用中不会因过热而损坏。此外，LRC1161DT5G 的栅极驱动电压范围较宽，可在 4.5V 到 20V 之间正常工作，兼容多种驱动电路设计。
LRC1161DT5G 主要应用于各类电源管理系统，如 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动电路以及电池管理系统等。由于其高效率和良好的热稳定性，该器件也常用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源和消费类电子产品中。在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源领域，LRC1161DT5G 同样表现出色，作为主功率开关器件使用。
在实际应用中，LRC1161DT5G 可以用于替代其他 N 沟道 MOSFET，以提高系统效率和可靠性。例如，在同步整流电路中，它可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在电机驱动电路中，该器件能够提供较高的电流能力和稳定的开关性能，确保电机运行平稳。
IRFZ44N, FQP30N06L, STP30NF06, Si4410DY
