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IRL3303S 发布时间 时间:2025/7/1 23:26:53 查看 阅读:18

IRL3303S是一款由英飞凌(Infineon)生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用逻辑电平驱动设计,能够以较低的栅极驱动电压实现高效的导通性能。IRL3303S具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,适用于多种电力电子应用,如DC-DC转换器、电池管理系统、电机驱动和负载切换等。
  该器件封装为TO-252 (DPAK),能够提供良好的散热性能,并且易于安装在印刷电路板上。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:16A
  导通电阻(Rds(on)):8.5mΩ(典型值,Vgs=10V时)
  栅极阈值电压:1V~2V
  最大功耗:2.7W
  工作温度范围:-55℃~150℃
  封装类型:TO-252 (DPAK)

特性

IRL3303S具有以下主要特性:
  1. 低导通电阻(Rds(on)),可减少导通损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 逻辑电平兼容的栅极驱动,简化了与微控制器或其他数字电路的接口。
  4. 紧凑的DPAK封装,提供良好的散热性能。
  5. 支持大电流操作,适合需要高效功率传输的应用场景。
  6. 宽工作温度范围,能够在恶劣环境下稳定运行。
  这些特性使IRL3303S成为许多电力电子应用的理想选择。

应用

IRL3303S广泛应用于以下领域:
  1. DC-DC转换器和降压斩波器。
  2. 开关电源(SMPS)中的功率级控制。
  3. 电池保护和管理系统中的负载开关。
  4. 电机驱动电路,用于控制小型直流电机或步进电机。
  5. 各种消费类电子产品中的功率管理模块。
  6. 工业自动化设备中的功率控制组件。
  由于其低导通电阻和逻辑电平驱动能力,IRL3303S特别适合于需要高效功率传输和快速开关的应用。

替代型号

IRLZ34N, IRL540N, FDN337N

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IRL3303S参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C38A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C26 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds870pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.8W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRL3303S