LRB751CS 时间：2025/8/13 11:09:42 阅读：10

LRB751CS 是一款由 ROHM（罗姆）半导体公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于高效率、高频率的电源转换应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统以及电机驱动电路等。LRB751CS 采用高性能沟槽式工艺，提供低导通电阻（Rds(on)）和优良的热稳定性，能够在高负载条件下保持良好的性能。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.0 A
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：@VGS=10V 时为 28 mΩ，@VGS=4.5V 时为 39 mΩ
　　功率耗散（PD）：3.0 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOP8（表面贴装）

特性

LRB751CS 具备多项优异特性，适合用于高性能电源管理领域。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率，这对于高频率开关应用尤为重要。
　　其次，该 MOSFET 支持较高的栅极电压（±20V），具备较强的抗电压波动能力，提高了在复杂电源环境下的稳定性。
　　此外，采用 SOP8 封装形式，使得 LRB751CS 具有较小的封装体积，适合高密度 PCB 设计，并具备良好的散热性能。
　　该器件还具有较低的输入电容（Ciss）和门极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提升高频工作下的性能表现。
　　最后，LRB751CS 的工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），可在多种环境条件下稳定运行，适用于工业级和车载电子系统。

应用

LRB751CS 常用于需要高效能、小尺寸功率开关的场合。典型应用包括同步整流 DC-DC 转换器、便携式设备的电源管理模块、电机驱动电路、电池保护电路以及负载开关控制等。
　　在 DC-DC 转换器中，该器件作为主开关元件，其低导通电阻和快速开关特性有助于提高转换效率并减少发热。
　　在电机驱动应用中，LRB751CS 可作为 H 桥结构中的开关元件，支持高频率 PWM 控制，提高电机响应速度。
　　同时，该 MOSFET 还广泛应用于智能电表、LED 照明驱动、工业自动化设备等对功耗和空间有较高要求的场景。