存储容量：128 Mbit
　　组织方式：32M x 4
　　电源电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　访问时间：最快可达约3.6ns
　　数据保持时间：自动刷新模式下可达64ms
　　时钟频率：支持高达166MHz

HYB25D128323CL36A 是一款高性能的DRAM芯片，具有低功耗和高速存取能力。它采用CMOS工艺制造，具有较高的集成度和稳定性。该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不占用CPU资源的情况下保持数据完整性，延长数据存储时间。此外，该芯片具有良好的抗干扰能力和可靠性，适用于各种严苛的工作环境。
　　其TSOP封装形式有助于提高PCB布局的灵活性，并降低封装尺寸对系统设计的限制。芯片的访问时间非常短，能够满足高速系统时钟的需求，适用于需要快速数据读写的场景，如图形处理、高速缓存、实时数据处理等。
　　该芯片还支持多种工作模式，包括突发模式、页模式和静态列模式，能够根据系统需求灵活配置，提高内存访问效率。此外，其电源管理功能可以有效降低功耗，适用于对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。

HYB25D128323CL36A 广泛应用于需要高性能存储的电子设备中。常见的应用包括计算机主板、图形加速卡、网络设备、工业控制设备以及消费类电子产品。由于其高速度和低功耗特性，该芯片也适用于需要大量临时数据存储和快速访问的场景，如视频缓冲、高速缓存、实时数据采集和处理等。

HYB25D128323CL40A, HYB25D128323CL36B, CY7C128323CL36A