P2NC60FP是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及各种功率电子设备中。该器件采用先进的平面工艺制造,具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。P2NC60FP的封装形式通常为TO-220FP或类似的大功率封装,便于散热并适用于高功率密度的设计场景。
类型:N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds):600V
栅源电压(Vgs):±30V
漏极电流(Id):11A(25°C)
导通电阻(Rds(on)):典型值0.45Ω(最大值0.55Ω)
功耗(Pd):83W
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
封装类型:TO-220FP
P2NC60FP具备多项优良的电气和物理特性,使其在中高功率应用中表现出色。首先,其600V的漏源击穿电压(Vds)使其适用于多种高压开关电路,能够稳定工作在较高的电压环境下。其次,该MOSFET的导通电阻Rds(on)非常低,典型值仅为0.45Ω,在高电流工作状态下可显著降低导通损耗,提高系统效率。此外,P2NC60FP采用TO-220FP封装,具备良好的散热性能,适用于需要连续大电流工作的场合。
该器件还具有较高的栅极电荷(Qg)性能,确保在高频开关应用中仍能保持较低的开关损耗。同时,P2NC60FP在制造工艺上优化了热阻特性,使其在高温环境下仍能维持稳定的电气性能,增强了系统的可靠性和耐用性。
在安全性和保护方面,P2NC60FP具备较强的雪崩击穿耐受能力,能够在突发电压冲击下保持器件完整性。同时,其栅极氧化层设计可承受±30V的栅源电压,提高了抗干扰能力,减少了误触发的风险。
P2NC60FP广泛应用于各类电力电子设备中,尤其适合高电压和中等功率的应用场景。常见应用包括AC-DC开关电源、LED驱动器、DC-DC转换器、电池充电器、电机控制电路以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外,该器件也常用于逆变器、UPS(不间断电源)系统、智能电表及家电控制电路中,作为主开关或同步整流器件使用。由于其良好的热稳定性和高耐压特性,P2NC60FP在高温或恶劣环境下的应用也具有较高的可靠性。
P2NK60ZFP、FQA11N60C、STF11NM60N、IRFBC40