类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6.0A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大28mΩ @ VGS = 4.5V，最大34mΩ @ VGS = 2.5V
　　栅极电荷（Qg）：9.5nC（典型值）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TSOP-6

LRB717FT1G MOSFET具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理应用。首先，其低导通电阻有助于减少导通损耗，提高整体能效。在VGS为4.5V时，RDS(on)最大为28mΩ，在VGS为2.5V时，最大为34mΩ，这使得该器件可在较低的栅极驱动电压下运行，适用于低压控制器电路。其次，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构，提供优异的电流承载能力和热稳定性，确保在高负载条件下仍能保持良好性能。
　　此外，该器件的栅极电荷（Qg）仅为9.5nC（典型值），使其在高频开关应用中表现优异，可有效降低开关损耗，提高转换效率。其TSOP-6封装形式具有较小的体积，适合高密度PCB布局，同时具备良好的散热性能，有助于提高系统的可靠性和稳定性。
　　LRB717FT1G的工作温度范围为-55°C至+150°C，表明其在极端温度条件下仍能稳定运行，适用于工业级和汽车电子应用环境。其最大漏源电压为20V，最大漏极电流为6A，适用于多种中低功率开关电路。该器件的栅源电压范围为±12V，具有良好的抗过压能力，防止因栅极电压波动导致的损坏。

LRB717FT1G MOSFET广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池供电设备、移动设备电源管理、服务器和通信设备的电源模块等。由于其低导通电阻和高频开关能力，该器件特别适用于同步整流、电源管理IC（PMIC）的配套开关元件以及高效能便携式电子设备的电源控制电路。此外，该MOSFET在汽车电子系统中也有广泛应用，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统等，能够满足严苛的环境要求并提供稳定的性能。

Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDMS3602