时间：2025/8/30 12:03:43
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MVU18-10FLK 是一款由Microsemi（现为Microchip Technology）生产的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）功率晶体管。该器件主要用于高功率开关应用，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制和电池管理系统等电子电路。MVU18-10FLK采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），可有效降低功耗并提高系统效率。其封装形式为PowerPAK 1212-8封装，具备良好的热管理和高电流承载能力。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏-源电压（VDS）：100V
最大栅-源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大5.3mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK 1212-8
MVU18-10FLK MOSFET具有多项高性能特性，首先是其极低的导通电阻（RDS(on)），这有助于减少导通状态下的功率损耗，提高能效。由于采用了先进的沟槽技术，该器件在高电流应用中表现出色，具备优异的热稳定性。此外，MVU18-10FLK的封装设计优化了热管理，使其能够在高功率密度环境下稳定运行。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持10V至20V之间的栅极驱动电压，提高了设计灵活性。同时，MVU18-10FLK具备较高的短路耐受能力，增强了系统在异常工况下的可靠性。其高雪崩能量耐受能力也使其适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合，如工业电源和电动汽车系统。
MVU18-10FLK广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化控制、不间断电源（UPS）以及电动汽车充电模块。其优异的导通性能和热管理能力，使其成为高性能电源管理和功率转换设计中的理想选择。
SiZ180DT,TMOSFET TPS65912
