时间：2025/8/13 6:47:14
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LR9198-28BAPRN 是一款由 LRC（乐山无线电）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管设计用于高效率、高频率的开关电源应用，例如 DC-DC 转换器、负载开关和马达控制。其采用先进的沟槽式 MOS 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流能力和良好的热稳定性，使其适用于需要高功率密度和紧凑设计的电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
漏极电流（Id）：80A（连续）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（最大值）
功率耗散：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LR9198-28BAPRN 具备多项优良特性，首先是其极低的导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。此外，该器件具有高电流承载能力，能够支持大电流负载而不发生显著的电压降或热效应。该 MOSFET 采用 TO-252 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度应用。其栅极驱动电压范围宽，兼容常见的 10V 和 12V 驱动电路，同时具备较强的抗雪崩击穿能力，提升了器件在严苛环境下的可靠性。
该器件的开关特性也非常出色，具备快速的导通和关断时间，有助于减少开关损耗，适用于高频开关应用。此外，其热稳定性良好，在高负载条件下仍能维持稳定的性能。LR9198-28BAPRN 还具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，适用于负载变化较大的应用场景。
该 MOSFET 主要用于各类电源管理系统中，包括但不限于同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统（BMS）、电机驱动器和电源管理模块。由于其低导通电阻和高电流能力，特别适合用于需要高效能和小型化设计的电源转换系统。例如，在电动车、工业自动化、通信设备和消费电子产品中，LR9198-28BAPRN 都能发挥出色的性能。
IRF1405、Si4410BDY、TPC8107、AO4407
