PMF87EN 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于需要高效能、高电流和低导通电阻的应用场合。该器件采用先进的技术制造,具备卓越的热性能和耐用性,适合在多种电源管理和功率转换电路中使用。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):80A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大值为9.5mΩ(典型值更低)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:PowerFLAT 5x6 或类似高功率密度封装
PMF87EN 具有极低的导通电阻,这使得它在高电流应用中能够减少功率损耗,提高效率。此外,该MOSFET采用了先进的封装技术,具有出色的热管理能力,可以在高负载条件下保持稳定运行。
其高耐压特性允许其在多种电压环境下使用,包括汽车和工业电源系统。此外,PMF87EN 的栅极驱动电压范围较宽,适用于多种控制电路,同时具备较强的抗静电能力(ESD)和抗瞬态电压冲击能力。
该器件还具有较高的可靠性,能够在高温环境下稳定运行,并且具备较长的使用寿命。这使其特别适用于需要长时间稳定工作的应用,例如电机控制、电源转换器、DC-DC转换器以及电池管理系统。
PMF87EN MOSFET常用于各类高功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
? 电源管理系统:如DC-DC转换器、负载开关和电池充电电路。
? 电机控制:如无刷直流电机(BLDC)驱动、电动工具和电动车控制系统。
? 汽车电子:如车载充电器(OBC)、DC-AC逆变器、电池管理系统(BMS)和LED照明驱动。
? 工业自动化:如PLC(可编程逻辑控制器)、工业电源和伺服驱动器。
? 新能源设备:如太阳能逆变器、储能系统和UPS(不间断电源)。
STP80NF10, IRF1404, FDP80N10A