时间：2025/12/24 17:40:52
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LR645N8 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理系统。这款 MOSFET 采用 DFN（Dual Flat No-leads）封装，具备较低的导通电阻和优良的热性能，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统等应用。LR645N8 的设计使其能够在高频率和高电流条件下稳定工作，同时减少功率损耗。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
连续漏极电流（ID）：4.5A
导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = 10V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：DFN10
LR645N8 的主要特性包括低导通电阻、高频工作能力以及良好的热管理性能。其低 RDS(on) 保证了在导通状态下的功率损耗较低，有助于提高整体系统的效率。此外，DFN 封装不仅提供了更小的 PCB 占用空间，还增强了热传导能力，使得该器件在高负载条件下也能保持良好的温度控制。LR645N8 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 10V 的 VGS，从而提高了其在不同驱动电路中的兼容性。
另一个显著优势是其在高频开关应用中的表现。由于其内部结构优化，LR645N8 可以有效地减少开关损耗，使其适用于高频率 DC-DC 转换器。此外，该器件的短路和过热保护能力也增强了其在恶劣环境下的可靠性。
LR645N8 广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效能和小尺寸解决方案的场合。典型应用包括同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电源管理系统以及电池供电设备。由于其优异的热性能和小封装，它特别适用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备中的电源管理模块。
Si2302DS, AO3400A, IRF7309
