封装类型：PG-TDSON
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-40°C至125°C
　　最大漏极电流（ID）：1.5A
　　漏源极电压（VDS）：30V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为230mΩ
　　栅极电荷（Qg）：5.5nC
　　功率耗散：2.5W

INN2023KTL基于英飞凌的OptiMOS?技术，提供了优异的导通和开关性能，能够显著提高电源系统的整体效率。该器件内置一个N沟道MOSFET，优化用于同步整流和负载开关应用，具备快速响应能力和低导通损耗。此外，INN2023KTL采用了先进的热管理封装技术，能够在高负载条件下保持良好的散热性能，从而提高系统的稳定性和可靠性。
　　该器件还具备过温保护和过流保护功能，能够在异常工作条件下自动限制电流和温度，防止器件损坏。其高集成度设计减少了外围元件数量，简化了电路布局，降低了设计复杂度和成本。INN2023KTL的栅极驱动电压范围宽广，支持5V至20V的输入，适用于多种控制器和驱动电路的接口需求。
　　INN2023KTL还具有出色的抗干扰能力，能够在高噪声环境下保持稳定的工作状态。其优化的封装设计有助于降低寄生电感，提高高频开关性能。此外，该器件符合RoHS环保标准，适用于绿色电子产品的设计和制造。

INN2023KTL广泛应用于各种电源管理系统中，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。在通信设备中，该器件可用于电源调节模块，提高系统的稳定性和效率。在工业自动化领域，INN2023KTL适用于电机驱动和控制电路，提供可靠的功率输出。此外，该器件还可用于消费类电子产品，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑的电源管理模块。

IPD9132, SiZ600DT, NVTFS5C471NL, STD5N4LLH5