SK50GARL065F 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型MOSFET。该器件主要用于高功率开关应用,如DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池管理系统等。该型号采用先进的平面条形工艺,具有低导通电阻、高电流容量和优异的热性能。封装形式为TO-220FP,适用于多种工业和汽车应用环境。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):50A
漏源极最大电压(VDS):65V
栅源极最大电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):典型值0.018Ω(在VGS=10V时)
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-220FP
SK50GARL065F MOSFET具有低导通电阻(RDS(on))的特性,这使得器件在导通状态下功耗极低,从而提高了系统的整体效率。该器件采用STMicroelectronics的先进制造工艺,确保了在高电流负载下依然保持良好的稳定性和可靠性。此外,该MOSFET具有高雪崩能量耐受能力,能够在极端工作条件下防止因过压或过流导致的损坏。其TO-220FP封装形式具有良好的散热性能,适合高功率密度应用。该器件还具备快速开关能力,适用于高频开关电路,有助于减小外围元件的尺寸并提高系统响应速度。
SK50GARL065F的工作温度范围较宽,从-55°C到175°C,使其适用于各种恶劣环境条件下的工业和汽车电子系统。该器件的栅极驱动电压范围宽,支持标准逻辑电平控制,便于与微控制器或其他控制电路集成。此外,该MOSFET具备良好的抗短路能力,能够在短时间内承受较高的电流冲击而不损坏。这种特性使其在电机控制、电源转换和电池管理系统等关键应用中具有更高的安全性和稳定性。
SK50GARL065F 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统中。例如,在DC-DC转换器中,该MOSFET可以作为主开关器件,实现高效的能量转换。在电机控制电路中,它可用于驱动直流电机或步进电机,提供稳定的高电流输出。在电源管理系统中,该器件可用于电池充放电控制、负载开关和电源分配。此外,SK50GARL065F 还广泛应用于汽车电子系统,如电动助力转向系统(EPS)、车载充电器和车载逆变器等。由于其优异的导通特性和高电流容量,该MOSFET也适用于高功率LED照明、工业自动化设备和智能家电等领域的电源控制模块。
IRF1405, FDP5030BL, IPW65R017CFD7