时间：2025/9/3 8:49:02
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2N5165是一款NPN型高频晶体管，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器电路中。该晶体管采用TO-39金属封装，具有良好的高频特性和稳定性，适用于通信设备、工业控制和测试仪器等电子设备。2N5165的设计使其能够在高频环境下保持较低的噪声和较高的增益，是一款性能可靠的高频晶体管。
类型：NPN晶体管
封装类型：TO-39
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：30V
最大集电极-基极电压（Vcb）：30V
最大功耗（Ptot）：300mW
最大工作温度：150°C
过渡频率（fT）：100MHz
电流增益带宽积（fT）：100MHz
电流增益（hFE）：50~300（具体值根据工作电流而定）
噪声系数：约2.5dB（典型值）
2N5165是一款专为高频应用设计的晶体管，具备优异的高频响应和低噪声特性。其TO-39金属封装不仅提供了良好的散热性能，还增强了高频信号的稳定性。该晶体管在100MHz频率下仍能保持较高的电流增益，适用于射频前置放大器、中频放大器、混频器以及振荡器等电路。
此外，2N5165的噪声系数较低，通常在2.5dB左右，这使其在需要高灵敏度的信号接收系统中表现优异。其电流增益范围较宽（hFE=50~300），可以根据不同的应用需求选择合适的偏置点，以优化电路性能。
该晶体管还具有较强的温度稳定性，在-55°C至+150°C的温度范围内均可正常工作，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备。
2N5165主要应用于高频电子电路中，包括射频放大器、中频放大器、混频器、振荡器和检波器等。它广泛用于通信设备如无线接收机、发射机、调频收音机、测试仪器和工业控制系统中。此外，2N5165也适用于低噪声前置放大器设计，特别是在需要高灵敏度和稳定性的信号接收系统中。
2N3904, 2N2222, BF199, BF200
