LR432ALT1H 时间：2025/8/14 1:08:22 阅读：27

LR432ALT1H 是一款由 ON Semiconductor 生产的表面贴装（SOT-23）封装的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款晶体管具有较高的开关速度和较低的导通电阻，适用于各种需要高效能开关操作的电子电路。LR432ALT1H 通常用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制应用。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　封装：SOT-23（SC-59）
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±8V
　　连续漏极电流（ID）：100mA
　　导通电阻（RDS(on)）：1.2Ω（典型值，VGS=4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：0.6V 至 1.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　最大功耗：300mW
　　漏极-源极击穿电压：20V

特性

LR432ALT1H MOSFET 具有优异的开关性能和较低的导通电阻，使其在低功耗应用中表现出色。其 SOT-23 封装形式使其非常适合空间受限的 PCB 设计，并且具备良好的热稳定性和高频响应能力。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持从 1.8V 到 4.5V 的逻辑电平控制，因此可以与多种微控制器和数字电路兼容。此外，其低阈值电压特性也使其在低电压应用中表现出色。
　　在可靠性方面，LR432ALT1H 拥有较高的温度耐受能力，能够在 -55°C 至 150°C 的范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子系统等严苛环境。
　　此外，该器件的功耗较低，有助于延长电池供电设备的续航时间，同时减少散热需求，提高系统整体效率。

应用

LR432ALT1H 主要用于需要低功耗、高效率和小封装尺寸的应用场景。常见的应用包括便携式电子产品中的电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、LED 驱动电路、传感器接口以及各种低电流开关电路。
　　此外，由于其良好的热性能和高频响应能力，该 MOSFET 也广泛应用于工业控制、通信设备以及汽车电子系统中，例如车载充电器、远程信息处理系统和车载娱乐设备中的电源管理模块。