时间：2025/8/20 11:15:50
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W27E512P-45是一款由Winbond公司生产的512K位（64K x 8）高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具有高速访问时间和低功耗的特点，适用于需要高性能和低功耗的嵌入式系统和工业控制应用。W27E512P-45的封装形式为28引脚PDIP或SOIC，便于在各种电路板上安装和使用。
容量：512Kbit（64K x 8）
工作电压：3.3V或5V可选
访问时间：45ns
封装类型：28引脚PDIP / SOIC
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
数据保持电压：1.5V至Vcc
最大待机电流：10mA（典型值）
读取电流：180mA（典型值，5V供电）
W27E512P-45 SRAM芯片采用高性能CMOS工艺制造，具备快速的访问时间（45ns），适用于高速数据存储应用。其低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低，非常适合电池供电设备和低功耗系统。该芯片支持3.3V和5V两种电源供电方式，提高了设计的灵活性，并可在不同电压环境下稳定运行。
此外，W27E512P-45具备优异的数据保持能力，在Vcc下降至1.5V时仍能保持数据不丢失，确保在系统掉电或低电压情况下数据的安全性。其28引脚PDIP和SOIC封装形式适用于多种PCB布局需求，并提供了良好的散热性能和机械稳定性。
该芯片还集成了片上地址锁存器和双向数据总线，简化了与微控制器或其他主控设备的接口设计。其高可靠性和稳定性使其成为工业自动化、测试设备、通信模块和嵌入式系统中理想的存储解决方案。
W27E512P-45广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的场景，例如工业控制设备、嵌入式系统、测试与测量仪器、通信模块、网络设备以及手持式电子设备。由于其宽电压支持和良好的数据保持能力，它也适用于需要断电数据保护的系统，如智能仪表、数据记录仪和医疗电子设备。
W27E512P-45G TR
